基本信息:
- 专利标题： 用以選擇性蝕刻銅及銅合金之蝕刻液及使用此蝕刻液之半導體基板之製造方法
- 专利标题（中）：用以选择性蚀刻铜及铜合金之蚀刻液及使用此蚀刻液之半导体基板之制造方法
- 申请号：TW108141854 申请日：2019-11-19
- 公开(公告)号：TW202030366A 公开(公告)日：2020-08-16
- 发明人： 深澤隼 , FUKAZAWA, SHUN , 藤井智子 , FUJII, TOMOKO , 松永裕嗣 , MATSUNAGA, HIROSHI
- 申请人： 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
- 专利权人： 日商三菱瓦斯化學股份有限公司,MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
- 当前专利权人： 日商三菱瓦斯化學股份有限公司,MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
- 代理人： 周良吉; 周良謀
- 优先权： 2018-217067 20181120
- 主分类号： C23F1/18
- IPC分类号： C23F1/18 ; C23F1/44 ; C09K13/06 ; H01L21/3213
摘要：
本發明提供一種可抑制鎳、錫、金及它們的合金的溶解，並選擇性蝕刻銅及銅合金之蝕刻液。本發明之蝕刻液，其特徵在於含有：(A)過氧化氫，相對於蝕刻液之總質量為5~10.5質量%、(B)硝酸，相對於蝕刻液之總質量為0.3~6質量%、(C)選自於由三唑及四唑構成之群組中之1種以上的含氮5員環化合物，該含氮5員環化合物也可具有選自於由碳數1~6之烷基、胺基、以及經取代之胺基構成之群組中之取代基，該經取代之胺基具有選自於由碳數1~6之烷基及苯基構成之群組中之1種以上的取代基、及(D)(d1)選自於由鹼金屬氫氧化物、氨、胺及銨鹽構成之群組中之1種以上的pH調整劑、(d2)膦酸化合物、或(d3)它們的組合。
摘要（中）：
本发明提供一种可抑制镍、锡、金及它们的合金的溶解，并选择性蚀刻铜及铜合金之蚀刻液。本发明之蚀刻液，其特征在于含有：(A)过氧化氢，相对于蚀刻液之总质量为5~10.5质量%、(B)硝酸，相对于蚀刻液之总质量为0.3~6质量%、(C)选自于由三唑及四唑构成之群组中之1种以上的含氮5员环化合物，该含氮5员环化合物也可具有选自于由碳数1~6之烷基、胺基、以及经取代之胺基构成之群组中之取代基，该经取代之胺基具有选自于由碳数1~6之烷基及苯基构成之群组中之1种以上的取代基、及(D)(d1)选自于由碱金属氢氧化物、氨、胺及铵盐构成之群组中之1种以上的pH调整剂、(d2)膦酸化合物、或(d3)它们的组合。