基本信息:
- 专利标题： 積體電路結構、積體電路佈局圖產生系統及積體電路製造系統之操作方法
- 专利标题（英）：INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE, INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT DIAGRAM GENERATION SYSTEM AND METHOD OF OPERATING INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING SYSTEM
- 专利标题（中）：集成电路结构、集成电路布局图产生系统及集成电路制造系统之操作方法
- 申请号：TW108139109 申请日：2019-10-29
- 公开(公告)号：TW202027230A 公开(公告)日：2020-07-16
- 发明人： 黃博祥 , HUANG, PO HSIANG , 陳勝雄 , CHEN, SHENG HSIUNG , 柯誌欣 , KO, CHIH HSIN , 張豐願 , CHANG, FONG YUAN , 萬幸仁 , WANN, CLEMENT HSINGJEN , 田麗鈞 , TIEN, LI CHUN , 許家銘 , HSU, CHIA MING
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 李世章; 秦建譜
- 优先权： 62/753,259 20181031;16/599,552 20191011
- 主分类号： H01L21/82
- IPC分类号： H01L21/82 ; H01L23/48
摘要：
一種操作IC製造系統之方法包括基於單元之時序關鍵路徑決定單元之n型主動區域還是單元之p型主動區域為第一主動區域，在單元之IC佈局圖中沿單元高度方向定位第一主動區域，第一主動區域具有在垂直於單元高度方向之方向上延伸的第一鰭片總數。方法亦包括沿單元高度方向在單元中定位第二主動區域，第二主動區域為與第一主動區域之n型或p型相反的n型或p型，且具有小於第一鰭片總數且在此方向上延伸的第二鰭片總數，以及將單元之IC佈局圖儲存在單元庫中。
摘要（中）：
一种操作IC制造系统之方法包括基于单元之时序关键路径决定单元之n型主动区域还是单元之p型主动区域为第一主动区域，在单元之IC布局图中沿单元高度方向定位第一主动区域，第一主动区域具有在垂直於单元高度方向之方向上延伸的第一鳍片总数。方法亦包括沿单元高度方向在单元中定位第二主动区域，第二主动区域为与第一主动区域之n型或p型相反的n型或p型，且具有小于第一鳍片总数且在此方向上延伸的第二鳍片总数，以及将单元之IC布局图存储在单元库中。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/82 | ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路 |