基本信息:
- 专利标题： 積體電路結構的形成方法及積體電路結構
- 专利标题（英）：INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE AND THE METHOD FOR FORMING THE SAME
- 专利标题（中）：集成电路结构的形成方法及集成电路结构
- 申请号：TW108137412 申请日：2019-10-17
- 公开(公告)号：TW202027167A 公开(公告)日：2020-07-16
- 发明人： 曾俊凱 , TZENG, CHUN-KAI , 林政仁 , LIN, CHENG JEN , 趙永清 , CHAO, YUNG-CHING , 鄭明達 , CHENG, MING-DA , 李明機 , LII, MIRNG-JI
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 洪澄文
- 优先权： 62/748,827 20181022;16/289,831 20190301
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; H01L21/4763
摘要：
本發明實施例提供了形成積體電路結構的方法，此方法包含形成第一磁層、形成第一導線於第一磁層上、及塗佈感光塗層於第一磁層上。感光塗層包含直接位於第一導線上的第一部分、及從第一導線偏移的第二部分。第一部分連接至第二部分。此方法更包含在感光塗層的第一部分上進行第一曝光、在感光塗層的第一部分及第二部分上進行第二曝光、顯影感光塗層、及形成第二磁層於感光塗層上。
摘要（中）：
本发明实施例提供了形成集成电路结构的方法，此方法包含形成第一磁层、形成第一导线于第一磁层上、及涂布感光涂层于第一磁层上。感光涂层包含直接位于第一导在线的第一部分、及从第一导线偏移的第二部分。第一部分连接至第二部分。此方法更包含在感光涂层的第一部分上进行第一曝光、在感光涂层的第一部分及第二部分上进行第二曝光、显影感光涂层、及形成第二磁层于感光涂层上。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/31 | .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择 |