基本信息:
- 专利标题： 處理腔室
- 专利标题（英）：PROCESS CHAMBER
- 专利标题（中）：处理腔室
- 申请号：TW108133913 申请日：2016-05-24
- 公开(公告)号：TW202018782A 公开(公告)日：2020-05-16
- 发明人： 劉 煒 , LIU, WEI , 瓜立尼 泰瑞莎克拉莫 , GUARINI, THERESA KRAMER , 阮 惠Q , NGUYEN, HUY Q. , 畢凡 麥爾肯 , BEVAN, MALCOLM , 葛勞伊 候達 , GRAOUI, HOUDA , 伯提妮 菲利浦A , BOTTINI, PHILIP A. , 黃 柏納L , HWANG, BERNARD L. , 華瑞恰克 拉拉 , HAWRYLCHAK, LARA , 喬治 雷尼 , GEORGE, RENE
- 申请人： 美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 李世章; 彭國洋
- 优先权： 62/171,921 20150605;62/175,959 20150615
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/67 ; H01L21/3105
摘要：
本發明揭露的實施例一般係關於用於電漿處理一處理腔室之方法和設備。基板可放置在處理腔室中，該基板具有形成於其上的閘極堆疊，且含氫電漿可用於處理閘極堆疊，以消除閘極堆疊中的缺陷（defect）。作為含氫電漿處理的結果，閘極堆疊具有較低的洩漏且改善了可靠度。為了保護處理腔室免受含氫電漿的產生的HX+離子與H*自由基，可在沒有基板置放於處理腔室中的情況下且在含氫電漿處理之前，以電漿處理處理腔室。此外，介電材料製成的處理腔室的元件可用陶瓷塗層塗覆，該陶瓷塗層包括含釔氧化物以保護這些元件免受電漿。
摘要（中）：
本发明揭露的实施例一般系关于用于等离子处理一处理腔室之方法和设备。基板可放置在处理腔室中，该基板具有形成于其上的闸极堆栈，且含氢等离子可用于处理闸极堆栈，以消除闸极堆栈中的缺陷（defect）。作为含氢等离子处理的结果，闸极堆栈具有较低的泄漏且改善了可靠度。为了保护处理腔室免受含氢等离子的产生的HX+离子与H*自由基，可在没有基板置放于处理腔室中的情况下且在含氢等离子处理之前，以等离子处理处理腔室。此外，介电材料制成的处理腔室的组件可用陶瓷涂层涂覆，该陶瓷涂层包括含钇氧化物以保护这些组件免受等离子。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |