基本信息:
- 专利标题： 積體電路裝置、類絕緣體上半導體結構以及積體電路裝置製造方法
- 专利标题（英）：INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR LIKE STRUCTURE, AND METHOD FOR FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
- 专利标题（中）：集成电路设备、类绝缘体上半导体结构以及集成电路设备制造方法
- 申请号：TW108120027 申请日：2019-06-11
- 公开(公告)号：TW202015215A 公开(公告)日：2020-04-16
- 发明人： 辛格 古爾巴格 , SINGH, GULBAGH , 莊坤蒼 , CHUANG, KUN-TSANG , 陳信吉 , CHEN, HSIN-CHI
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 洪澄文
- 优先权： 62/690,545 20180627;16/118,098 20180830
- 主分类号： H01L27/085
- IPC分类号： H01L27/085 ; H01L27/12 ; H01L21/76 ; H01L21/84
摘要：
一種積體電路裝置包括具有絕緣體上半導體特性的塊體基板。積體電路裝置包括定義塊體基板的通道區的第一隔離溝槽和定義包括通道區的主動區的第二隔離溝槽。第一隔離溝槽包括第一隔離溝槽部分和設置在第一隔離溝槽部分上方的第二隔離溝槽部分。第一隔離材料填充第一隔離溝槽部分，並且磊晶材料填充第二隔離溝槽部分。磊晶材料設置在第一隔離材料上。第二隔離材料填充第二隔離溝槽。在第一隔離溝槽和通道區下面的一部分塊體基板被配置具有比塊體基板更高的電阻。
摘要（中）：
一种集成电路设备包括具有绝缘体上半导体特性的块体基板。集成电路设备包括定义块体基板的信道区的第一隔离沟槽和定义包括信道区的主动区的第二隔离沟槽。第一隔离沟槽包括第一隔离沟槽部分和设置在第一隔离沟槽部分上方的第二隔离沟槽部分。第一隔离材料填充第一隔离沟槽部分，并且磊晶材料填充第二隔离沟槽部分。磊晶材料设置在第一隔离材料上。第二隔离材料填充第二隔离沟槽。在第一隔离沟槽和信道区下面的一部分块体基板被配置具有比块体基板更高的电阻。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/085 | ....只包含场效应的组件 |