基本信息:
- 专利标题： 與高選擇性氧化物移除及高溫汙染物移除整合的磊晶系統
- 专利标题（英）：Epitaxy system integrated with high selectivity oxide removal and high temperature contaminant removal
- 专利标题（中）：与高选择性氧化物移除及高温污染物移除集成的磊晶系统
- 申请号：TW107128748 申请日：2018-08-17
- 公开(公告)号：TW201921548A 公开(公告)日：2019-06-01
- 发明人： 華瑞恰克 拉拉 , HAWRYLCHAK, LARA , 勞 建邦 , LO, KIN PONG , 聖契茲 艾羅C , SANCHEZ, ERROL C. , 諸 紹芳 , CHU, SCHUBERT S. , 曼德瑞卡 圖沙爾 , MANDREKAR, TUSHAR
- 申请人： 美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 李世章; 彭國洋
- 优先权： 62/552,145 20170830;16/057,213 20180807
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; H01L21/677 ; H01L21/683 ; H05H1/46
摘要：
在一個實施方案中，處理系統包括第一轉移腔室、第二轉移腔室、過渡站、第一電漿腔室、及裝載閘腔室，第一轉移腔室耦接到至少一個磊晶處理腔室，過渡站係設置於第一轉移腔室與第二轉移腔室之間，第一電漿腔室耦接至第二轉移腔室，以用於從基板的表面移除氧化物，裝載閘腔室耦接至第二轉移腔室。過渡站係連接到第一轉移腔室與第二轉移腔室，並且過渡站包括用於從基板的表面移除污染物的第二電漿腔室。
摘要（中）：
在一个实施方案中，处理系统包括第一转移腔室、第二转移腔室、过渡站、第一等离子腔室、及装载闸腔室，第一转移腔室耦接到至少一个磊晶处理腔室，过渡站系设置于第一转移腔室与第二转移腔室之间，第一等离子腔室耦接至第二转移腔室，以用于从基板的表面移除氧化物，装载闸腔室耦接至第二转移腔室。过渡站系连接到第一转移腔室与第二转移腔室，并且过渡站包括用于从基板的表面移除污染物的第二等离子腔室。
摘要（英）：
In one implementation, a processing system includes a first transfer chamber coupling to at least one epitaxy process chamber, a second transfer chamber, a transition station disposed between the first transfer chamber and the second transfer chamber, a first plasma chamber coupled to the second transfer chamber for removing oxides from a surface of a substrate, and a load lock chamber coupled to the second transfer chamber. The transition station connects to the first transfer chamber and the second transfer chamber, and the transition station includes a second plasma chamber for removing contaminants from the surface of the substrate.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |