基本信息:
- 专利标题： 影像感測裝置
- 专利标题（英）：Image sensor device
- 专利标题（中）：影像传感设备
- 申请号：TW107108470 申请日：2018-03-13
- 公开(公告)号：TW201919214A 公开(公告)日：2019-05-16
- 发明人： 魏嘉余 , WEI, CHIA YU , 林彥良 , LIN, YEN LIANG , 李國政 , LEE, KUO CHENG , 黃薰瑩 , HUANG, HSUN YING , 陳信吉 , CHEN, HSIN CHI
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 李世章; 秦建譜
- 优先权： 15/809,458 20171110
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
An image sensor device includes a semiconductor substrate, a radiation sensing member, a device layer and a trench isolation. The semiconductor substrate has a front side surface and a back side surface opposite to the front side surface. The radiation sensing member is disposed in a photosensitive region of the semiconductor substrate and extends from the front side surface of the semiconductor substrate. The radiation sensing member includes a semiconductor material with an optical band gap energy smaller than 1.77 eV. The device layer is over the front side surface of the semiconductor substrate and the radiation sensing member. The trench isolation is disposed in an isolation region of the semiconductor substrate and extends from the back side surface of the semiconductor substrate.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |