专利号TW107118233 | 三維反及閘(3D-NAND)元件中用於字元線分離之方法

专利标题：三維反及閘(3D-NAND)元件中用於字元線分離之方法
专利标题（英）：METHODS FOR WORDLINE SEPARATION IN 3D-NAND DEVICES
专利标题（中）：三维反及闸(3D-NAND)组件中用于字符线分离之方法
申请号：TW107118233 申请日：2018-05-29
公开(公告)号：TW201907548A 公开(公告)日：2019-02-16
发明人：陳一宏 , CHEN, YIHONG , 段子青 , DUAN, ZIQING , 馬里克愛柏亥吉巴蘇 , MALLICK, ABHIJIT BASU , 陳勁文 , CHAN, KELVIN
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
专利权人：美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
当前专利权人：美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
代理人：李世章; 彭國洋
优先权： 62/513,371 20170531
主分类号： H01L27/11556
IPC分类号： H01L27/11556 ; H01L27/11582

摘要：

描述半導體元件（例如，3D-NAND）中字元線分離之方法。金屬膜沉積在字元線中及在間隔的氧化物層之堆疊之表面上。藉由高溫氧化及蝕刻氧化物，或藉由以單層方式氧化表面及蝕刻氧化物的低溫原子層蝕刻，來移除金屬膜。在移除金屬覆蓋層之後，字元線被金屬膜填充。

摘要（中）：

描述半导体组件（例如，3D-NAND）中字符线分离之方法。金属膜沉积在字符线中及在间隔的氧化物层之堆栈之表面上。借由高温氧化及蚀刻氧化物，或借由以单层方式氧化表面及蚀刻氧化物的低温原子层蚀刻，来移除金属膜。在移除金属覆盖层之后，字符线被金属膜填充。

Espacenet

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L27/00	由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
--------H01L27/02	.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
----------H01L27/04	..其衬底为半导体的
------------H01L27/06	...在非重复结构中包括有多个单个组件的
--------------H01L27/105	....包含场效应组件的
----------------H01L27/112	.....只读存储器结构的
------------------H01L27/115	......电动编程只读存储器
--------------------H01L27/11502	.......具有铁电体存储器电容器的
----------------------H01L27/11551	........以三维布置为特征的，例如，单元胞在不同的高度层
------------------------H01L27/11553	.........具有在不同层的源区和漏区的，例如，具有倾斜沟道的
--------------------------H01L27/11556	..........沟道具有垂直部分的，例如，U形沟道

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