基本信息:
- 专利标题： 三維記憶體元件的接點開口結構暨其形成方法
- 专利标题（英）：JOINT OPENNING STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
- 专利标题（中）：三维内存组件的接点开口结构暨其形成方法
- 申请号：TW107107700 申请日：2018-03-07
- 公开(公告)号：TW201904031A 公开(公告)日：2019-01-16
- 发明人： 呂 震宇 , LU, ZHENYU , 施文廣 , SHI, WENGUANG , 吳 關平 , WU, GUANPING , 潘 鋒 , PAN, FENG , 萬先進 , WAN, XIANJIN , 陳 保友 , CHEN, BAOYOU
- 申请人： 大陸商長江存儲科技有限責任公司 , YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- 专利权人： 大陸商長江存儲科技有限責任公司,YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- 当前专利权人： 大陸商長江存儲科技有限責任公司,YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- 代理人： 吳豐任; 李俊陞; 戴俊彥
- 优先权： 201710134783.6 20170308;PCT/CN2018/077785 20180301;201710134782.1 20170308
- 主分类号： H01L27/11519
- IPC分类号： H01L27/11519 ; H01L27/11551 ; H01L27/11556 ; H01L27/11565 ; H01L27/11578 ; H01L27/11582
摘要：
本發明提出了一種三維記憶體元件的接點開口結構暨其製作方法。此接點開口結構包含一個第一通孔穿過一第一疊層與一第一絕緣連接層、一第一通道結構位於該第一通孔的底部、一第一功能層位於該第一通孔的側壁上、一第二通道結構位於該第一功能層的側壁上、一第三通道結構覆蓋在該第一通孔上、一第二疊層位於該第三通道結構上、一第二絕緣連接層位於該第二疊層上、一第二通孔穿過該第二疊層與該第二絕緣連接層、一第二功能層設置在該第二通孔的側壁上、一第四通道結構位於該第二功能層的側壁上、以及一第五通道結構覆蓋在該第二通孔上。
摘要（中）：
本发明提出了一种三维内存组件的接点开口结构暨其制作方法。此接点开口结构包含一个第一通孔穿过一第一叠层与一第一绝缘连接层、一第一信道结构位于该第一通孔的底部、一第一功能层位于该第一通孔的侧壁上、一第二信道结构位于该第一功能层的侧壁上、一第三信道结构覆盖在该第一通孔上、一第二叠层位于该第三信道结构上、一第二绝缘连接层位于该第二叠层上、一第二通孔穿过该第二叠层与该第二绝缘连接层、一第二功能层设置在该第二通孔的侧壁上、一第四信道结构位于该第二功能层的侧壁上、以及一第五信道结构覆盖在该第二通孔上。
公开/授权文献:
- TWI665786B 三維記憶體元件的接點開口結構暨其形成方法 公开/授权日：2019-07-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |
| --------------------H01L27/11502 | .......具有铁电体存储器电容器的 |
| ----------------------H01L27/11519 | ........以顶视图布局为特征的 |