基本信息:
- 专利标题： 圖案形成方法及光致抗蝕劑圖案外塗層組合物
- 专利标题（英）：PATTERN FORMATION METHODS AND PHOTORESIST PATTERN OVERCOAT COMPOSITIONS
- 专利标题（中）：图案形成方法及光致抗蚀剂图案外涂层组合物
- 申请号：TW107114424 申请日：2018-04-27
- 公开(公告)号：TW201842097A 公开(公告)日：2018-12-01
- 发明人： 侯希森 , HOU, XISEN , 劉 聰 , LIU, CONG , 考爾 艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER
- 申请人： 美商羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
- 专利权人： 美商羅門哈斯電子材料有限公司,ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
- 当前专利权人： 美商羅門哈斯電子材料有限公司,ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
- 代理人： 洪武雄; 陳昭誠
- 优先权： 62/492943 20170501
- 主分类号： C09D133/16
- IPC分类号： C09D133/16 ; C09D133/26 ; G03F7/039 ; G03F7/40 ; H01L21/027
摘要：
一種圖案形成方法，其包括：（a）提供半導體基板；（b）在所述半導體基板上形成光致抗蝕劑圖案，其中所述光致抗蝕劑圖案由光致抗蝕劑組合物形成，所述光致抗蝕劑組合物包括：包括酸不穩定基團之第一聚合物；及光酸產生劑；（c）在所述光致抗蝕劑圖案上塗佈圖案外塗層組合物，其中所述圖案外塗層組合物包括第二聚合物及有機溶劑，其中所述有機溶劑包括一或多種酯溶劑，其中所述酯溶劑具有式R1-C(O)O-R2，其中R1為C3-C6烷基且R2為C5-C10烷基；（d）烘烤經塗佈之所述光致抗蝕劑圖案；及（e）用沖洗劑沖洗所述經塗佈之光致抗蝕劑圖案以移除所述第二聚合物。所述方法尤其適用於製造半導體裝置。
摘要（中）：
一种图案形成方法，其包括：（a）提供半导体基板；（b）在所述半导体基板上形成光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案由光致抗蚀剂组合物形成，所述光致抗蚀剂组合物包括：包括酸不稳定基团之第一聚合物；及光酸产生剂；（c）在所述光致抗蚀剂图案上涂布图案外涂层组合物，其中所述图案外涂层组合物包括第二聚合物及有机溶剂，其中所述有机溶剂包括一或多种酯溶剂，其中所述酯溶剂具有式R1-C(O)O-R2，其中R1为C3-C6烷基且R2为C5-C10烷基；（d）烘烤经涂布之所述光致抗蚀剂图案；及（e）用冲洗剂冲洗所述经涂布之光致抗蚀剂图案以移除所述第二聚合物。所述方法尤其适用于制造半导体设备。