基本信息:
- 专利标题： 高壓晶圓處理系統以及相關方法
- 专利标题（英）：HIGH PRESSURE WAFER PROCESSING SYSTEMS AND RELATED METHODS
- 专利标题（中）：高压晶圆处理系统以及相关方法
- 申请号：TW107108016 申请日：2018-03-09
- 公开(公告)号：TW201841290A 公开(公告)日：2018-11-16
- 发明人： 梁 奇偉 , LIANG, QIWEI , 奈馬尼 史林尼法斯D , NEMANI, SRINIVAS D. , 坎 艾德柏M , KHAN, ADIB M , 凱西霍特拉 文卡塔拉維香卡 , KASIBHOTLA, VENKATA RAVISHANKAR , 馬立克 蘇坦 , MALIK, SULTAN , 康 席恩 , KANG, SEAN , 王 基斯達宣 , WONG, KEITH TATSEUN
- 申请人： 美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 李世章; 彭國洋
- 优先权： 62/470,057 20170310
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; H01L21/324
摘要：
一種用於處理基板的高壓處理系統，包括：第一腔室；基座，定位在第一腔室內，以支撐基板；第二腔室，鄰近第一腔室；真空處理系統，配置成將第二腔室內的壓力降低到接近真空；閥組件，在第一腔室和第二腔室之間，以將第一腔室內的壓力與第二腔室內的壓力隔離；及氣體輸送系統，配置成將處理氣體引入第一腔室，並當處理氣體在第一腔室中時且當第一腔室與第二腔室隔離時，增加第一腔室內的壓力到至少10個大氣壓。
摘要（中）：
一种用于处理基板的高压处理系统，包括：第一腔室；基座，定位在第一腔室内，以支撑基板；第二腔室，邻近第一腔室；真空处理系统，配置成将第二腔室内的压力降低到接近真空；阀组件，在第一腔室和第二腔室之间，以将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力隔离；及气体输送系统，配置成将处理气体引入第一腔室，并当处理气体在第一腔室中时且当第一腔室与第二腔室隔离时，增加第一腔室内的压力到至少10个大气压。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |