基本信息:
- 专利标题： 用於硬遮罩應用之硼摻雜碳化鎢
- 专利标题（英）：BORON DOPED TUNGSTEN CARBIDE FOR HARDMASK APPLICATIONS
- 专利标题（中）：用于硬遮罩应用之硼掺杂碳化钨
- 申请号：TW107103621 申请日：2018-02-01
- 公开(公告)号：TW201841214A 公开(公告)日：2018-11-16
- 发明人： 凡卡塔蘇巴拉馬尼恩 艾斯華倫納德 , VENKATASUBRAMANIAN, ESWARANAND , 馬禮克 亞伯希吉特巴蘇 , MALLICK, ABHIJIT BASU , 羅伊 蘇史密辛哈 , ROY, SUSMIT SINGHA , 越澤武仁 , KOSHIZAWA, TAKEHITO
- 申请人： 美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 李世章; 彭國洋
- 优先权： 62/453,288 20170201
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/033 ; H01L21/3213 ; C23C16/32 ; C23C16/34
摘要：
本揭露內容的實施例大致關於積體電路的製造。更明確地，本文所述的實施例提供沉積硬遮罩膜於基板上的技術。在一個實施例中，提供形成硬遮罩層於基板上的方法。方法包括藉由供應晶種層氣體混合物於製程腔室中來形成晶種層於基板上。方法進一步包括藉由供應過渡層氣體混合物於製程腔室中來形成包括鎢、硼和碳的過渡層於晶種層上。方法進一步包括藉由供應主要沉積氣體混合物於製程腔室中來形成包括鎢、硼和碳的成塊硬遮罩層於過渡層上。
摘要（中）：
本揭露内容的实施例大致关于集成电路的制造。更明确地，本文所述的实施例提供沉积硬遮罩膜于基板上的技术。在一个实施例中，提供形成硬遮罩层于基板上的方法。方法包括借由供应晶种层气体混合物于制程腔室中来形成晶种层于基板上。方法进一步包括借由供应过渡层气体混合物于制程腔室中来形成包括钨、硼和碳的过渡层于晶种层上。方法进一步包括借由供应主要沉积气体混合物于制程腔室中来形成包括钨、硼和碳的成块硬遮罩层于过渡层上。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |