基本信息:
- 专利标题： 用於沉積、佈植及處理之具多反應氣體、高偏壓功率及高功率脈衝源的PVD腔室之延伸部
- 专利标题（英）：EXTENSION OF PVD CHAMBER WITH MULTIPLE REACTION GASES, HIGH BIAS POWER, AND HIGH POWER IMPULSE SOURCE FOR DEPOSITION, IMPLANTATION, AND TREATMENT
- 专利标题（中）：用于沉积、布植及处理之具多反应气体、高偏压功率及高功率脉冲源的PVD腔室之延伸部
- 申请号：TW107100879 申请日：2018-01-10
- 公开(公告)号：TW201840249A 公开(公告)日：2018-11-01
- 发明人： 劉菁菁 , LIU, JINGJING , 葛迪 魯多維 , GODET, LUDOVIC , 奈馬尼 史林尼法斯D , NEMANI, SRINIVAS D. , 陳 咏梅 , CHEN, YONGMEI , 沙布藍尼 安納薩K , SUBRAMANI, ANANTHA K.
- 申请人： 美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 李世章; 彭國洋
- 优先权： 62/450,318 20170125
- 主分类号： H05H1/46
- IPC分类号： H05H1/46 ; H01L21/265
摘要：
本揭示內容的實施例提供了具有原位離子佈植能力之濺射腔室。在一個實施例中，濺射腔室包含靶材、耦接至該靶材的RF及DC功率供應器、包含平坦基板接納表面的支撐件主體、耦接至支撐件主體的偏壓功率源、耦接至偏壓功率源的脈衝控制器及排放組件，其中該脈衝控制器施加脈衝控制訊號至偏壓功率源，使得偏壓功率在規律脈衝模式或高頻率脈衝模式中傳送，規律脈衝模式具有約100至200微秒的脈衝期及約1至200 Hz的脈衝重複頻率，而高頻率脈衝模式具有約100至300微秒的脈衝期及約200 Hz至約20 KHz的脈衝重複頻率，且排放組件具有穿過處理腔室的底部形成之同心狀泵送埠。
摘要（中）：
本揭示内容的实施例提供了具有原位离子布植能力之溅射腔室。在一个实施例中，溅射腔室包含靶材、耦接至该靶材的RF及DC功率供应器、包含平坦基板接纳表面的支撑件主体、耦接至支撑件主体的偏压功率源、耦接至偏压功率源的脉冲控制器及排放组件，其中该脉冲控制器施加脉冲控制信号至偏压功率源，使得偏压功率在规律脉冲模式或高频率脉冲模式中发送，规律脉冲模式具有约100至200微秒的脉冲期及约1至200 Hz的脉冲重复频率，而高频率脉冲模式具有约100至300微秒的脉冲期及约200 Hz至约20 KHz的脉冲重复频率，且排放组件具有穿过处理腔室的底部形成之同心状泵送端口。