基本信息:
- 专利标题： 半導體結構及其製造方法
- 专利标题（英）：SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND METHODS OF FABRICATION THE SAME
- 专利标题（中）：半导体结构及其制造方法
- 申请号：TW106135676 申请日：2017-10-18
- 公开(公告)号：TW201833989A 公开(公告)日：2018-09-16
- 发明人： 林經祥 , LIN, CHIN HSIANG , 黃泰鈞 , HUANG, TAI CHUN , 包天一 , BAO, TIEN I
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 洪澄文; 顏錦順
- 优先权： 62/427,584 20161129;15/455,603 20170310
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/033 ; H01L21/768 ; H01L21/8234 ; H01L29/66 ; H01L29/78
摘要：
根據本發明一些實施例，提供一種半導體結構的製造方法。上述方法包含凹蝕閘極電極，其位於基底上的半導體鰭片上，使介電層的上表面形成第一凹陷。上述方法包含形成第一遮罩於凹蝕的閘極電極上的第一凹陷內。上述方法亦包含凹蝕第一導電接觸物，其位於半導體鰭片的源極/汲極區上，使介電層的上表面形成第二凹陷。上述方法更包含形成第二遮罩於凹蝕的第一導電接觸物上的第二凹陷內。
摘要（中）：
根据本发明一些实施例，提供一种半导体结构的制造方法。上述方法包含凹蚀闸极电极，其位于基底上的半导体鳍片上，使介电层的上表面形成第一凹陷。上述方法包含形成第一遮罩于凹蚀的闸极电极上的第一凹陷内。上述方法亦包含凹蚀第一导电接触物，其位于半导体鳍片的源极/汲极区上，使介电层的上表面形成第二凹陷。上述方法更包含形成第二遮罩于凹蚀的第一导电接触物上的第二凹陷内。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |