基本信息:
- 专利标题： 高壓縮/拉伸的翹曲晶圓上的厚鎢硬遮罩膜沉積
- 专利标题（英）：THICK TUNGSTEN HARDMASK FILMS DEPOSITION ON HIGH COMPRESSIVE/TENSILE BOW WAFERS
- 专利标题（中）：高压缩/拉伸的翘曲晶圆上的厚钨硬遮罩膜沉积
- 申请号：TW106129903 申请日：2017-09-01
- 公开(公告)号：TW201822245A 公开(公告)日：2018-06-16
- 发明人： 王家銳 , WANG, JIARUI , 庫許魯須薩 派瑞尚特庫馬 , KULSHRESHTHA, PRASHANT KUMAR , 凡卡塔蘇巴拉馬尼恩 艾斯華倫納德 , VENKATASUBRAMANIAN, ESWARANAND , 羅伊 蘇史密辛哈 , ROY, SUSMIT SINGHA , 李 光德道格拉斯 , LEE, KWANGDUK DOUGLAS
- 申请人： 美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 李世章; 彭國洋
- 优先权： 62/393,956 20160913
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/033
摘要：
本揭示的實施方案一般係關於積體電路的製造。更特定言之，本文所述的實施方案提供用於在基板上沉積厚硬遮罩膜的技術。在一個實施方案中，提供在基板上形成硬遮罩層的方法。該方法包含以下步驟：將夾持電壓施加到位於處理腔室中的靜電卡盤上的基板，藉由在處理腔室中供應晶種層氣體混合物並維持夾持電壓，而在設置於基板上的膜堆疊上形成包含硼的晶種層，藉由在處理腔室中供應過渡層氣體混合物，在晶種層上形成包含硼與鎢的過渡層，以及藉由在處理腔室中供應主沉積氣體混合物，在過渡層上形成塊狀硬遮罩層。
摘要（中）：
本揭示的实施方案一般系关于集成电路的制造。更特定言之，本文所述的实施方案提供用于在基板上沉积厚硬遮罩膜的技术。在一个实施方案中，提供在基板上形成硬遮罩层的方法。该方法包含以下步骤：将夹持电压施加到位于处理腔室中的静电卡盘上的基板，借由在处理腔室中供应晶种层气体混合物并维持夹持电压，而在设置于基板上的膜堆栈上形成包含硼的晶种层，借由在处理腔室中供应过渡层气体混合物，在晶种层上形成包含硼与钨的过渡层，以及借由在处理腔室中供应主沉积气体混合物，在过渡层上形成块状硬遮罩层。
公开/授权文献:
- TWI680496B 高壓縮/拉伸的翹曲晶圓上的厚鎢硬遮罩膜沉積 公开/授权日：2019-12-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |