基本信息:
- 专利标题： 用於銅阻障層應用之摻雜的氮化鉭
- 专利标题（英）：DOPED TANTALUM NITRIDE FOR COPPER BARRIER APPLICATIONS
- 专利标题（中）：用于铜阻障层应用之掺杂的氮化钽
- 申请号：TW106139180 申请日：2012-11-21
- 公开(公告)号：TW201820539A 公开(公告)日：2018-06-01
- 发明人： 雷克須瑪南安娜瑪萊 , LAKSHMANAN,ANNAMALAI , 馬伯方 , MA,PAUL F. , 張鎂 , CHANG,MEI , 商珍妮佛 , SHAN,JENNIFER
- 申请人： 美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 李世章; 彭國洋
- 优先权： 61/565,641 20111201
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768
摘要：
所描述者為摻雜的TaN薄膜以及用於提供摻雜的TaN薄膜的方法。用Ru、Cu、Co、Mn、Al、Mg、Cr、Nb、Ti及/或V摻雜TaN薄膜得以增強TaN薄膜的銅阻障性質。亦描述者為提供薄膜的方法，該薄膜具有第一層及第二層，該第一層包含摻雜的TaN，該第二層包含Ru及Co中之一或多者，且選擇性地摻雜該第二層。
摘要（中）：
所描述者为掺杂的TaN薄膜以及用于提供掺杂的TaN薄膜的方法。用Ru、Cu、Co、Mn、Al、Mg、Cr、Nb、Ti及/或V掺杂TaN薄膜得以增强TaN薄膜的铜阻障性质。亦描述者为提供薄膜的方法，该薄膜具有第一层及第二层，该第一层包含掺杂的TaN，该第二层包含Ru及Co中之一或多者，且选择性地掺杂该第二层。
公开/授权文献:
- TWI645511B 用於銅阻障層應用之摻雜的氮化鉭 公开/授权日：2018-12-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |