基本信息:
- 专利标题： 微晶有機半導體膜、有機半導體電晶體、及有機半導體電晶體的製造方法
- 专利标题（中）：微晶有机半导体膜、有机半导体晶体管、及有机半导体晶体管的制造方法
- 申请号：TW106132991 申请日：2017-09-26
- 公开(公告)号：TW201819390A 公开(公告)日：2018-06-01
- 发明人： 後藤崇 , GOTO, TAKASHI , 福﨑英治 , FUKUZAK, EIJI , 渡邉哲也 , WATANABE, TETSUYA
- 申请人： 日商富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
- 专利权人： 日商富士軟片股份有限公司,FUJIFILM CORPORATION
- 当前专利权人： 日商富士軟片股份有限公司,FUJIFILM CORPORATION
- 代理人： 葉璟宗; 卓俊傑
- 优先权： 2016-191913 20160929
- 主分类号： C07D517/14
- IPC分类号： C07D517/14 ; C07D493/14 ; C07D495/14 ; C07D513/14 ; C07D498/14 ; C07D487/14 ; H01L29/786 ; H01L51/30 ; H01L51/40
摘要：
本發明提供一種即使被圖案化或暴露於高熱中，亦能夠有效地抑制龜裂的產生及龜裂的擴散之有機半導體膜、使用了該有機半導體膜之有機半導體電晶體及該有機半導體電晶體的製造方法。一種包含由下述通式（1）表示之分子量3000以下的化合物，且晶疇的尺寸係1nm以上且100nm以下之微晶有機半導體膜、使用了該有機半導體膜之有機半導體電晶體及該有機半導體電晶體的製造方法。X、Y及Z表示特定的環構成原子。R1及R2表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基或雜芳基，R3及R4表示鹵素原子、烷基、烯基、炔基、芳基或雜芳基。m及n表示0～2的整數。
摘要（中）：
本发明提供一种即使被图案化或暴露于高热中，亦能够有效地抑制龟裂的产生及龟裂的扩散之有机半导体膜、使用了该有机半导体膜之有机半导体晶体管及该有机半导体晶体管的制造方法。一种包含由下述通式（1）表示之分子量3000以下的化合物，且晶畴的尺寸系1nm以上且100nm以下之微晶有机半导体膜、使用了该有机半导体膜之有机半导体晶体管及该有机半导体晶体管的制造方法。X、Y及Z表示特定的环构成原子。R1及R2表示氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基，R3及R4表示卤素原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基。m及n表示0～2的整数。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C07 | 有机化学 |
| ----C07D | 杂环化合物 |
| ------C07D517/00 | 杂环化合物，在稠环系中至少含有1个杂环具有硒、碲或卤素原子作为杂环原子 |
| --------C07D517/02 | .稠环系中含有两个杂环 |
| ----------C07D517/14 | ..邻位稠合系 |