基本信息:
- 专利标题： 對稱電漿處理腔室
- 专利标题（英）：Symmetric plasma process chamber
- 专利标题（中）：对称等离子处理腔室
- 申请号：TW106137303 申请日：2012-09-20
- 公开(公告)号：TW201813455A 公开(公告)日：2018-04-01
- 发明人： 卡度希詹姆士D , CARDUCCI,JAMES D. , 塔法梭利哈米德 , TAVASSOLI,HAMID , 波拉克里斯那阿吉特 , BALAKRISHNA,AJIT , 陳誌剛 , CHEN,ZHIGANG , 蓋葉安德魯恩 , NGUYEN,ANDREW , 布希博格二世道格拉斯A , BUCHBERGER JR.,DOUGLAS A. , 拉馬斯瓦米卡提克 , RAMANSWAMY,KARTIK , 羅夫沙西德 , RAUF,SHAHID , 柯林斯肯尼士S , COLLINS,KENNETH S.
- 申请人： 美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 李世章; 彭國洋
- 优先权： 61/543,565 20111005
- 主分类号： H05H1/46
- IPC分类号： H05H1/46 ; H01L21/67
摘要：
本發明提供一種對稱電漿處理腔室。本發明實施例提供允許極其對稱的電、熱和氣體傳導通過腔室的腔室設計。藉由提供這種對稱，形成在腔室內的電漿自然地在設置在腔室的處理區域中的基板的表面上具有改進的均勻性。此外，其他腔室的附加情況（諸如提供操縱上下電極之間以及在氣體入口和被處理的基板之間的間隙的能力）相較於習知的系統允許對電漿處理和均勻性更好的控制。
摘要（中）：
本发明提供一种对称等离子处理腔室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过腔室的腔室设计。借由提供这种对称，形成在腔室内的等离子自然地在设置在腔室的处理区域中的基板的表面上具有改进的均匀性。此外，其他腔室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的基板之间的间隙的能力）相较于习知的系统允许对等离子处理和均匀性更好的控制。
摘要（英）：
Embodiments of the present invention provide a plasma chamber design that allows extremely symmetrical electrical, thermal, and gas flow conductance through the chamber. By providing such symmetry, plasma formed within the chamber naturally has improved uniformity across the surface of a substrate disposed in a processing region of the chamber. Further, other chamber additions, such as providing the ability to manipulate the gap between upper and lower electrodes as well as between a gas inlet and a substrate being processed, allows better control of plasma processing and uniformity as compared to conventional systems.
公开/授权文献:
- TWI666975B 對稱電漿處理腔室 公开/授权日：2019-07-21