基本信息:
- 专利标题： CEM開關元件
- 专利标题（英）：A CEM switching device
- 专利标题（中）：CEM开关组件
- 申请号：TW106130755 申请日：2017-09-08
- 公开(公告)号：TW201813097A 公开(公告)日：2018-04-01
- 发明人： 瑞德 金佰利蓋 , REID, KIMBERLY GAY , 席芙蘭 露西安 , SHIFREN, LUCIAN , 巴茲德阿勞約 卡羅斯 , PAZ DE ARAUJO, CARLOS , 斯林史卡 喬蘭塔 , CELINSKA, JOLANTA
- 申请人： 英商ARM股份有限公司 , ARM LTD
- 专利权人： 英商ARM股份有限公司,ARM LTD
- 当前专利权人： 英商ARM股份有限公司,ARM LTD
- 代理人： 李世章; 彭國洋
- 优先权： 15/260,515 20160909
- 主分类号： H01L29/38
- IPC分类号： H01L29/38
摘要：
本技術大體係關於一種用於製造CEM開關元件之方法，該方法所提供之CEM層包含實質上不具有金屬的摻雜之金屬化合物，其中相同金屬元素之離子以不同氧化態存在。該方法可提供天生(born on)並且能夠利用低於2.0 V之操作電壓進行切換的CEM層。
摘要（中）：
本技术大体系关于一种用于制造CEM开关组件之方法，该方法所提供之CEM层包含实质上不具有金属的掺杂之金属化合物，其中相同金属元素之离子以不同氧化态存在。该方法可提供天生(born on)并且能够利用低于2.0 V之操作电压进行切换的CEM层。
摘要（英）：
The present techniques generally relate to a method for the manufacture of a CEM switching device providing that the CEM layer comprises a doped metal compound substantially free from metal wherein ions of the same metal element are present in different oxidation states. The method may provide a CEM layer which is born on and capable of switching with operating voltages below 2.0V.