基本信息:
- 专利标题： 用於放置在具有高Ｋ介電閘極覆蓋體之半導體主動區內之閘極接觸的方法及設備
- 专利标题（英）：Method and apparatus for placing a gate contact inside a semiconductor active region having high-K dielectric gate caps
- 专利标题（中）：用于放置在具有高Ｋ介电闸极覆盖体之半导体主动区内之闸极接触的方法及设备
- 申请号：TW106106416 申请日：2017-02-24
- 公开(公告)号：TW201812996A 公开(公告)日：2018-04-01
- 发明人： 拉伯特 恩德 , LABONTE, ANDRE , 謝 瑞龍 , XIE, RUILONG , 張洵淵 , ZHANG, XUNYUAN
- 申请人： 格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
- 专利权人： 格羅方德半導體公司,GLOBALFOUNDRIES US INC.
- 当前专利权人： 格羅方德半導體公司,GLOBALFOUNDRIES US INC.
- 代理人： 洪武雄; 陳昭誠
- 优先权： 15/202,817 20160706
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/8234 ; H01L23/522 ; H01L23/532 ; H01L23/535 ; H01L29/417 ; H01L29/66 ; H01L29/78
摘要：
一種方法，提供在Rx區中具有FinFET之結構，該FinFET包括通道、源極/汲極(S/D)區及閘極，該閘極包括閘極金屬。在具有高k介電性襯墊與核心之閘極上方形成覆蓋體。該閘極之諸側上布置溝槽矽化物(TS)。使該TS凹陷至高於該閘極之層階且低於該覆蓋體之層階的層階。在該結構上方布置氧化物層。在該Rx區裡的氧化物層內圖型化CB溝槽，以在該CB溝槽之中間部分處使核心與襯墊曝露。相對於襯墊而選擇性蝕刻核心，以將CB溝槽延展至閘極金屬處之底端。金屬化CB溝槽以形成CB接觸部。
摘要（中）：
一种方法，提供在Rx区中具有FinFET之结构，该FinFET包括信道、源极/汲极(S/D)区及闸极，该闸极包括闸极金属。在具有高k介电性衬垫与内核之闸极上方形成覆盖体。该闸极之诸侧上布置沟槽硅化物(TS)。使该TS凹陷至高于该闸极之层阶且低于该覆盖体之层阶的层阶。在该结构上方布置氧化物层。在该Rx区里的氧化物层内图型化CB沟槽，以在该CB沟槽之中间部分处使内核与衬垫曝露。相对于衬垫而选择性蚀刻内核，以将CB沟槽延展至闸极金属处之底端。金属化CB沟槽以形成CB接触部。
摘要（英）：
A method provides a structure having a FinFET in an Rx region, the FinFET including a channel, source/drain (S/D) regions and a gate, the gate including gate metal. A cap is formed over the gate having a high-k dielectric liner and a core. Trench silicide (TS) is disposed on sides of the gate. The TS is recessed to a level above a level of the gate and below a level of the cap. An oxide layer is disposed over the structure. A CB trench is patterned into the oxide layer within the Rx region to expose the core and liner at an intermediate portion of the CB trench. The core is selectively etched relative to the liner to extend the CB trench to a bottom at the gate metal. The CB trench is metalized to form a CB contact.
公开/授权文献:
- TWI649836B 用於放置在具有高Ｋ介電閘極覆蓋體之半導體主動區內之閘極接觸的方法及設備 公开/授权日：2019-02-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |