基本信息:
- 专利标题： 經矽倍半氧烷改質之ＴｉＯ２溶膠
- 专利标题（英）：Silsesquinoxane modified TiO2 sol
- 专利标题（中）：经硅倍半氧烷改质之ＴｉＯ２溶胶
- 申请号：TW106114416 申请日：2017-05-01
- 公开(公告)号：TW201809102A 公开(公告)日：2018-03-16
- 发明人： 王林飛 , WANG, LINFEI , 扈楠 , HU, NAN , 陳紅宇 , CHEN, HONGYU , 馬萬福 , MA, WANFU , 蔡宇 , CAI, YU , 羽賀滿 , HAGA, MITSURU
- 申请人： 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC , 羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
- 专利权人： 陶氏全球科技責任有限公司,DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC,羅門哈斯電子材料有限公司,ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
- 当前专利权人： 陶氏全球科技責任有限公司,DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC,羅門哈斯電子材料有限公司,ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
- 代理人： 洪武雄; 陳昭誠
- 优先权： PCT/CN2016/083594 20160527
- 主分类号： C08K9/06
- IPC分类号： C08K9/06 ; C09C1/36 ; C09C3/12 ; C01G23/04 ; C09D7/12 ; C09D181/02 ; C08G75/045 ; G03F7/004 ; G03F7/027 ; G03F7/038 ; H01L21/312
摘要：
本發明揭示經矽倍半氧烷改質之TiO2溶膠、形成TiO2溶膠之方法、包括TiO2溶膠之輻射固化組合物以及由輻射固化組合物形成之固化材料。TiO2溶膠至少部分由矽倍半氧烷覆蓋且具有適用於提供ITO電極之透明度之氧化銦錫(ITO)電極上的絕緣層的高RI。
摘要（中）：
本发明揭示经硅倍半氧烷改质之TiO2溶胶、形成TiO2溶胶之方法、包括TiO2溶胶之辐射固化组合物以及由辐射固化组合物形成之固化材料。TiO2溶胶至少部分由硅倍半氧烷覆盖且具有适用于提供ITO电极之透明度之氧化铟锡(ITO)电极上的绝缘层的高RI。
摘要（英）：
A silsesquinoxane modified TiO2 sol, a method of forming the TiO2 sol, a radiation curable composition comprising the TiO2 sol and cured material formed from the radiation curable composition are disclosed. The TiO2 sol is at least partially covered by silsesquinoxane and has high RI useful for an insulating layer on indium tin oxide (ITO) electrodes that provides transparency of the ITO electrodes.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C08 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 |
| ----C08K | 使用无机物或非高分子有机物作为配料 |
| ------C08K9/00 | 使用预处理的配料 |
| --------C08K9/04 | .用有机物质处理的配料 |
| ----------C08K9/06 | ..用含硅化合物 |