专利号TW106121418 | 鐵電記憶體中之多層級儲存

发明专利 TW201802808A 鐵電記憶體中之多層級儲存 审中-公开

专利标题：鐵電記憶體中之多層級儲存
专利标题（英）：Multi-level storage in ferroelectric memory
专利标题（中）：铁电内存中之多层级存储
申请号：TW106121418 申请日：2017-06-27
公开(公告)号：TW201802808A 公开(公告)日：2018-01-16
发明人：卡瓦穆拉克里斯多幅約翰 , KAWAMURA, CHRISTOPHER JOHN
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
专利权人：美光科技公司,MICRON TECHNOLOGY, INC.
当前专利权人：美光科技公司,MICRON TECHNOLOGY, INC.
代理人：陳長文
优先权： 15/194,178 20160627
主分类号： G11C11/22
IPC分类号： G11C11/22 ; G11C7/06

摘要：

本發明描述用於操作一或若干鐵電記憶體單元之方法、系統及器件。在一些實例中，用於鐵電記憶體之多層級存取、感測及其他操作可基於感測多個電荷，包含與該記憶體單元之一介電質相關聯之一第一電荷及與該記憶體單元之一極化相關聯之一第二電荷。在一些情況中，多層級存取、感測及其他操作可基於：將與該記憶體單元之一介電質相關聯之一第一電荷轉移至一感測放大器；隔離該感測放大器；啟動該感測放大器；將與該記憶體單元之一極化相關聯之一第二電荷轉移至該感測放大器；及第二次啟動該感測放大器。

摘要（中）：

本发明描述用于操作一或若干铁电内存单元之方法、系统及器件。在一些实例中，用于铁电内存之多层级存取、传感及其他操作可基于传感多个电荷，包含与该内存单元之一介电质相关联之一第一电荷及与该内存单元之一极化相关联之一第二电荷。在一些情况中，多层级存取、传感及其他操作可基于：将与该内存单元之一介电质相关联之一第一电荷转移至一传感放大器；隔离该传感放大器；启动该传感放大器；将与该内存单元之一极化相关联之一第二电荷转移至该传感放大器；及第二次启动该传感放大器。

摘要（英）：

Methods, systems, and devices for operating a ferroelectric memory cell or cells are described. In some examples, multi-level accessing, sensing, and other operations for ferroelectric memory may be based on sensing multiple charges, including a first charge associated with a dielectric of the memory cell and a second charge associated with a polarization of the memory cell. In some cases, multi-level accessing, sensing, and other operations may be based on transferring a first charge associated with a dielectric of the memory cell to a sense amplifier, isolating the sense amplifier, activating the sense amplifier, transferring a second charge associated with a polarization of the memory cell to the sense amplifier, and activating the sense amplifier a second time.

Espacenet

G11C11/56	组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。
--G11C11/19	.在谐振电路中应用非线性电抗器件的
----G11C11/22	..应用铁电元件的

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