基本信息:
- 专利标题： 電阻式記憶體
- 专利标题（英）：Resistance random access memory
- 专利标题（中）：电阻式内存
- 申请号：TW105113173 申请日：2016-04-27
- 公开(公告)号：TW201739077A 公开(公告)日：2017-11-01
- 发明人： 張鼎張 , CHANG, TING CHANG , 張冠張 , CHANG, KUAN CHANG , 蔡宗鳴 , TSAI, TSUNG MING , 施志承 , SHIH, CHIH CHENG , 潘致宏 , PAN, CHIH HUNG
- 申请人： 國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
- 申请人地址： 高雄市
- 专利权人： 國立中山大學,NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
- 当前专利权人： 國立中山大學,NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
- 当前专利权人地址： 高雄市
- 代理人： 黃耀霆
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00 ; H01L21/28
摘要：
本發明揭示一種電阻式記憶體，用於解決習知記憶體的可靠度不佳問題，該電阻式記憶體包含：二電極，係相互分離；一圍阻體，係設有一通道；及一含氧變阻層，係阻絕該圍阻體的通道，該二電極及該圍阻體共同包夾該含氧變阻層，構成該二電極及該圍阻體的元素均不含氧。藉此，可確實解決上述問題。
摘要（中）：
本发明揭示一种电阻式内存，用于解决习知内存的可靠度不佳问题，该电阻式内存包含：二电极，系相互分离；一围阻体，系设有一信道；及一含氧变阻层，系阻绝该围阻体的信道，该二电极及该围阻体共同包夹该含氧变阻层，构成该二电极及该围阻体的元素均不含氧。借此，可确实解决上述问题。
摘要（英）：
This invention discloses a resistance random access memory which is used to solve a problem of bed reliability of the known memory. The resistance random access memory comprises two electrodes to separate each other, a surround member having a passageway and a variable resistance layer containing oxygen used to obstruct the passageway. The electrodes and the surround member clips around the variable resistance layer containing oxygen together. The element of constructing the electrodes and the surround member excludes oxygen. Thus, it can actually resolve the said problem.
公开/授权文献:
- TWI605622B 電阻式記憶體 公开/授权日：2017-11-11