基本信息:
- 专利标题： 用於選擇性乾式蝕刻的方法及設備
- 专利标题（英）：Methods and apparatus for selective dry etch
- 专利标题（中）：用于选择性干式蚀刻的方法及设备
- 申请号：TW106107932 申请日：2017-03-10
- 公开(公告)号：TW201732925A 公开(公告)日：2017-09-16
- 发明人： 李寧 , LI, NING , 巴賽諾 米海拉 , BALSEANU, MIHAELA , 夏 立群 , XIA, LI-QUN , 楊冬青 , YANG, DONGQING , 王安川 , WANG, ANCHUAN
- 申请人： 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 李世章; 彭國洋
- 优先权： 62/307,537 20160313;62/336,645 20160514
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065
摘要：
用於形成間隔物的方法包含以下步驟：在特徵的頂部、底部、及側壁上沉積膜，以及對膜加工，以改變特徵的頂部與底部上的膜的性質。相對於特徵的側壁上的膜，使用高強度電漿對特徵的頂部與底部上的膜選擇性乾式蝕刻。
摘要（中）：
用于形成间隔物的方法包含以下步骤：在特征的顶部、底部、及侧壁上沉积膜，以及对膜加工，以改变特征的顶部与底部上的膜的性质。相对于特征的侧壁上的膜，使用高强度等离子对特征的顶部与底部上的膜选择性干式蚀刻。
摘要（英）：
Methods for forming a spacer comprising depositing a film on the top, bottom and sidewalls of a feature and treating the film to change a property of the film on the top and bottom of the feature. Selectively dry etching the film from the top and bottom of the feature relative to the film on the sidewalls of the feature using a high intensity plasma.
公开/授权文献:
- TWI700745B 用於選擇性乾式蝕刻的方法及設備 公开/授权日：2020-08-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀 |