基本信息:
- 专利标题： 鰭型場效電晶體及其製作方法
- 专利标题（英）：Fin field effect transistor and method for fabricating the same
- 专利标题（中）：鳍型场效应管及其制作方法
- 申请号：TW105139818 申请日：2016-12-02
- 公开(公告)号：TW201730979A 公开(公告)日：2017-09-01
- 发明人： 張哲誠 , CHANG, CHE-CHENG , 林志翰 , LIN, CHIH-HAN , 曾鴻輝 , TSENG, HORNG-HUEI
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 卓俊傑
- 优先权： 15/054,141 20160226
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
一種包括以下步驟的製作鰭型場效電晶體的方法。提供基材，基材包括多個溝渠及位於溝渠之間的多個半導體鰭。在溝渠中形成多個絕緣體。執行鰭切割製程以移除半導體鰭的某些部分，直至在絕緣體之間形成多個凹部為止。形成閘極堆疊結構，以局部地覆蓋半導體鰭及絕緣體。
摘要（中）：
一种包括以下步骤的制作鳍型场效应管的方法。提供基材，基材包括多个沟渠及位于沟渠之间的多个半导体鳍。在沟渠中形成多个绝缘体。运行鳍切割制程以移除半导体鳍的某些部分，直至在绝缘体之间形成多个凹部为止。形成闸极堆栈结构，以局部地覆盖半导体鳍及绝缘体。
摘要（英）：
A method for fabricating a fin field effect transistor (FinFET) comprising the following steps is provided. A substrate comprising a plurality of trenches and a plurality of semiconductor fins between the trenches is provided. A plurality of insulators are formed in the trenches. A fin cut process is performed to remove portions of the semiconductor fins until a plurality of concaves are formed between the insulators. A gate stack is formed to partially cover the semiconductor fins and the insulators.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |