专利号TW105136072 | 具有高產能之超高選擇性多晶矽蝕刻

专利标题：具有高產能之超高選擇性多晶矽蝕刻
专利标题（英）：Ultrahigh selective polysilicon etch with high throughput
专利标题（中）：具有高产能之超高选择性多晶硅蚀刻
申请号：TW105136072 申请日：2016-11-07
公开(公告)号：TW201730966A 公开(公告)日：2017-09-01
发明人：楊登亮 , YANG, DENGLIANG , 伊森夸梅 , EASON, KWAME , 雅各布費薩爾 , YAQOOB, FAISAL , 朴准弘 , PARK, JOON HONG
申请人：諾發系統有限公司 , NOVELLUS SYSTEMS, INC.
专利权人：諾發系統有限公司,NOVELLUS SYSTEMS, INC.
当前专利权人：諾發系統有限公司,NOVELLUS SYSTEMS, INC.
代理人：周良謀; 周良吉
优先权： 14/938,635 20151111
主分类号： H01L21/3213
IPC分类号： H01L21/3213 ; H01L21/67 ; H01L29/66 ; H01L21/683 ; H01J37/32 ; H01L21/02

摘要：

提供用以移除晶圓上之多晶矽層的方法與設備，其中晶圓可包括氮化物層、低k介電層、氧化物層、與其他膜層。氫基物種與氟基物種之電漿在遠端電漿源中產生，且在相對低溫下使晶圓暴露至電漿以限制固體副產物的形成。在一些實施例中，將晶圓維持在約60℃以下的溫度。在非常高的蝕刻速率下移除多晶矽層，且多晶矽對於氮化物層與氧化物層之選擇性非常高。在一些實施例中，將晶圓支撐在具有複數熱區的晶圓支撐件上，該複數熱區係配置成在晶圓範圍定義複數不同的溫度。

摘要（中）：

提供用以移除晶圆上之多晶硅层的方法与设备，其中晶圆可包括氮化物层、低k介电层、氧化物层、与其他膜层。氢基物种与氟基物种之等离子在远程等离子源中产生，且在相对低温下使晶圆暴露至等离子以限制固体副产物的形成。在一些实施例中，将晶圆维持在约60℃以下的温度。在非常高的蚀刻速率下移除多晶硅层，且多晶硅对于氮化物层与氧化物层之选择性非常高。在一些实施例中，将晶圆支撑在具有复数热区的晶圆支撑件上，该复数热区系配置成在晶圆范围定义复数不同的温度。

摘要（英）：

Provided are methods and apparatuses for removing a polysilicon layer on a wafer, where the wafer can include a nitride layer, a low-k dielectric layer, an oxide layer, and other films. A plasma of a hydrogen-based species and a fluorine-based species is generated in a remote plasma source, and the wafer is exposed to the plasma at a relatively low temperature to limit the formation of solid byproduct. In some implementations, the wafer is maintained at a temperature below about 60 DEG C. The polysilicon layer is removed at a very high etch rate, and the selectivity of polysilicon over the nitride layer and the oxide layer is very high. In some implementations, the wafer is supported on a wafer support having a plurality of thermal zones configured to define a plurality of different temperatures across the wafer.

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
----------------H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
------------------H01L21/3205	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层（器件内部的通电装置入H01L23/52）；这些层的后处理
--------------------H01L21/321	.......后处理
----------------------H01L21/3213	........对该层进行物理的或化学的腐蚀，例如由预沉积的外延层产生一个形成图形的层

发明专利 TW201730966A 具有高產能之超高選擇性多晶矽蝕刻 审中-公开

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