基本信息:
- 专利标题： 透過限制達成的矽化物相控制
- 专利标题（英）：Silicide phase control by confinement
- 专利标题（中）：透过限制达成的硅化物相控制
- 申请号：TW105130751 申请日：2016-09-23
- 公开(公告)号：TW201727699A 公开(公告)日：2017-08-01
- 发明人： 梅保奇 班雀奇 , MEBARKI, BENCHERKI , 葉 怡利 , YIEH, ELLIE Y. , 那克 美荷B , NAIK, MEHUL B. , 奈馬尼 史林尼法斯D , NEMANI, SRINIVAS D.
- 申请人： 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 李世章; 彭國洋
- 优先权： 62/232,848 20150925;15/240,410 20160818
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/285 ; H01L21/324
Implementations described herein generally relate to methods of selective deposition of metal silicides. More specifically, implementations described herein generally relate to methods of forming nickel silicide nanowires for semiconductor applications. In one implementation, a method of processing a substrate is provided. The method comprises forming a silicon-containing layer on a surface of a substrate, forming a metal-containing layer comprising a transition metal on the silicon-containing layer, forming a confinement layer on exposed surfaces of the metal-containing layer and annealing the substrate at a temperature of less than 400 degrees Celsius to form a metal silicide layer from the silicon-containing layer and the metal-containing layer, wherein the confinement layer inhibits formation of metal-rich metal silicide phases.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |