基本信息:
- 专利标题： 具有腔間隔物的半導體奈米線裝置及用於半導體奈米線裝置的腔間隔物的製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device
- 专利标题（中）：具有腔间隔物的半导体奈米线设备及用于半导体奈米线设备的腔间隔物的制造方法
- 申请号：TW105124236 申请日：2016-07-29
- 公开(公告)号：TW201719901A 公开(公告)日：2017-06-01
- 发明人： 梅安卓 里沙 , MEHANDRU, RISHABH , 廖思雅 , LIAO, SZUYA S. , 希亞 史蒂芬 , CEA, STEPHEN M.
- 申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
- 专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 当前专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 代理人： 林志剛
- 优先权： PCT/US15/49499 20150910
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336
Semiconductor nanowire devices having cavity spacers and methods of fabricating cavity spacers for semiconductor nanowire devices are described. For example, a semiconductor device includes a plurality of vertically stacked nanowires disposed above a substrate, each of the nanowires including a discrete channel region. A common gate electrode stack surrounds each of the discrete channel regions of the plurality of vertically stacked nanowires. A pair of dielectric spacers is on either side of the common gate electrode stack, each of the pair of dielectric spacers including a continuous material disposed along a sidewall of the common gate electrode and surrounding a discrete portion of each of the vertically stacked nanowires. A pair of source and drain regions is on either side of the pair of dielectric spacers.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |