基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置與其形成方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method for forming the same
- 专利标题（中）：半导体设备与其形成方法
- 申请号：TW104141054 申请日：2015-12-08
- 公开(公告)号：TW201709519A 公开(公告)日：2017-03-01
- 发明人： 呂志偉 , LU, CHIH WEI , 李忠儒 , LEE, CHUNG JU , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 黃建樺 , HUANG, CHIEN HUA , 包天一 , BAO, TIEN I
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 洪澄文; 顏錦順
- 优先权： 14/830,089 20150819
- 主分类号： H01L29/66
- IPC分类号： H01L29/66 ; H01L29/78 ; H01L21/28
摘要：
半導體裝置的形成方法包括提供前驅物。前驅物包括基板；閘極堆疊，位於基板上；第一介電層，位於閘極堆疊上；閘極間隔物，位於閘極堆疊之側壁與第一介電層之側壁上；以及多個源極與汲極接點位於閘極堆疊之相對兩側上。此方法亦包括使閘極間隔物凹陷以至少露出第一介電層之部份側壁，但未露出閘極堆疊之側壁。此方法亦包括形成間隔物保護層於閘極間隔物、第一介電層、與源極與汲極接點上。
摘要（中）：
半导体设备的形成方法包括提供前驱物。前驱物包括基板；闸极堆栈，位于基板上；第一介电层，位于闸极堆栈上；闸极间隔物，位于闸极堆栈之侧壁与第一介电层之侧壁上；以及多个源极与汲极接点位于闸极堆栈之相对两侧上。此方法亦包括使闸极间隔物凹陷以至少露出第一介电层之部份侧壁，但未露出闸极堆栈之侧壁。此方法亦包括形成间隔物保护层于闸极间隔物、第一介电层、与源极与汲极接点上。
摘要（英）：
A method of forming a semiconductor device includes providing a precursor. The precursor includes a substrate; a gate stack over the substrate; a first dielectric layer over the gate stack; a gate spacer on sidewalls of the gate stack and on sidewalls of the first dielectric layer; and source and drain (S/D) contacts on opposing sides of the gate stack. The method further includes recessing the gate spacer to at least partially expose the sidewalls of the first dielectric layer but not to expose the sidewalls of the gate stack. The method further includes forming a spacer protection layer over the gate spacer, the first dielectric layer, and the S/D contacts.
公开/授权文献:
- TWI606584B 半導體裝置與其形成方法 公开/授权日：2017-11-21