基本信息:
- 专利标题： 硬化光阻之紫外線輔助剝離以建立用於定向自組裝之化學模板
- 专利标题（英）：UV-assisted stripping of hardened photoresist to create chemical templates for directed self-assembly
- 专利标题（中）：硬化光阻之紫外线辅助剥离以创建用于定向自组装之化学模板
- 申请号：TW105135283 申请日：2014-09-03
- 公开(公告)号：TW201708981A 公开(公告)日：2017-03-01
- 发明人： 桑末薇拉馬克 , SOMERVELL,MARK , 布朗意恩 , BROWN,IAN , 西姆斯伊赫桑 , SIMMS,IHSAN , 尼格雷亞阿伊諾阿 , NEGREIRA,AINHOA , 納佛斯凱瑟琳 , NAFUS,KATHLEEN
- 申请人： 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
- 专利权人： 東京威力科創股份有限公司,TOKYO ELECTRON LIMITED
- 当前专利权人： 東京威力科創股份有限公司,TOKYO ELECTRON LIMITED
- 代理人： 周良謀; 周良吉
- 优先权： 61/873,515 20130904;14/465,933 20140822
- 主分类号： G03F7/40
- IPC分类号： G03F7/40 ; G03F7/42 ; H01L21/027 ; H01L21/308
摘要：
本發明揭露一種處理方法，其藉由允許在可在基板上促成形成次30nm特徵部的DSA模板中形成改良的導部線條，因而能夠提升定向自組裝（DSA）的處理方式。改良的導部線條可藉由提升在不同有機層或膜間之濕式化學處理的選擇性而形成。在一實施例中，以紫外光之一個以上的波長處理有機層可提升選擇性。UV光的第一波長可小於200nm，而UV光的第二波長可大於200nm。
摘要（中）：
本发明揭露一种处理方法，其借由允许在可在基板上促成形成次30nm特征部的DSA模板中形成改良的导部线条，因而能够提升定向自组装（DSA）的处理方式。改良的导部线条可借由提升在不同有机层或膜间之湿式化学处理的选择性而形成。在一实施例中，以紫外光之一个以上的波长处理有机层可提升选择性。UV光的第一波长可小于200nm，而UV光的第二波长可大于200nm。
摘要（英）：
A processing method is disclosed that enables an improved directed self-assembly (DSA) processing scheme by allowing the formation of improved guide strips in the DSA template that may enable the formation of sub-30nm features on a substrate. The improved guide strips may be formed by improving the selectivity of wet chemical processing between different organic layers or films. In one embodiment, treating the organic layers with one or more wavelengths of ultraviolet light may improve selectivity. The first wavelength of UV light may be less than 200 nm and the second wavelength of UV light may be greater than 200 mn.