基本信息:
- 专利标题： 在具有不同熱膨脹係數的絕緣層之半導體晶粒上方形成具有組合互連結構的半導體封裝之半導體裝置及方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method for forming semiconductor package having build-up interconnect structure over semiconductor die with different CTE insulating layers
- 专利标题（中）：在具有不同热膨胀系数的绝缘层之半导体晶粒上方形成具有组合互链接构的半导体封装之半导体设备及方法
- 申请号：TW105124301 申请日：2012-01-17
- 公开(公告)号：TW201642426A 公开(公告)日：2016-12-01
- 发明人： 林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 陳康 , CHEN, KANG , 谷優 , GU, YU , 孟威 , MENG, WEI , 王芝香 , ONG, CHEE SIANG
- 申请人： 史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
- 专利权人： 史達晶片有限公司,STATS CHIPPAC, LTD.
- 当前专利权人： 史達晶片有限公司,STATS CHIPPAC, LTD.
- 代理人： 林景郁
- 优先权： 61/435,215 20110121;13/164,015 20110620
- 主分类号： H01L23/52
- IPC分类号： H01L23/52 ; H01L23/28
A semiconductor device has a semiconductor die and encapsulant deposited over the semiconductor die. A first insulating layer is formed over the die and encapsulant. The first insulating layer is cured with multiple dwell cycles to enhance adhesion to the die and encapsulant. A first conductive layer is formed over the first insulating layer. A second insulating layer is formed over the first insulating layer and first conductive layer. The second insulating layer is cured with multiple dwell cycles to enhance adhesion to the first insulating layer and first conductive layer. A second conductive layer is formed over the second insulating layer and first conductive layer. A third insulating layer is formed over the second insulating layer and second conductive layer. The first, second, and third insulating layers have different CTE. The second insulating layer or third insulating layer is cured to a dense state to block moisture.
公开/授权文献:
- TWI602276B 在具有不同熱膨脹係數的絕緣層之半導體晶粒上方形成具有組合互連結構的半導體封裝之半導體裝置及方法 公开/授权日：2017-10-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/52 | .用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置 |