基本信息:
- 专利标题： 影像感測裝置結構
- 专利标题（英）：Image sensor device structure
- 专利标题（中）：影像传感设备结构
- 申请号：TW104136618 申请日：2015-11-06
- 公开(公告)号：TW201635508A 公开(公告)日：2016-10-01
- 发明人： 徐鴻文 , HSU, HUNG WEN , 蘇慶忠 , SU, CHING CHUNG , 周正賢 , CHOU, CHENG HSIEN , 盧玠甫 , LU, JIECH FUN , 周世培 , CHOU, SHIH PEI , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 洪澄文; 顏錦順
- 优先权： 14/658,465 20150316
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
摘要：
提供一種影像感測裝置結構。影像感測裝置結構包含：一基底，且基底包含一陣列區及一邊緣區。影像感測裝置結構包含：一抗反射層形成於基底上，以及一緩衝層形成於抗反射層上。影像感測裝置結構包含：一第一蝕刻停止層形成於緩衝層上，以及一金屬柵格結構形成於第一蝕刻停止層上。影像感測裝置結構亦包含：一介電層形成於金屬柵格結構上。
摘要（中）：
提供一种影像传感设备结构。影像传感设备结构包含：一基底，且基底包含一数组区及一边缘区。影像传感设备结构包含：一抗反射层形成于基底上，以及一缓冲层形成于抗反射层上。影像传感设备结构包含：一第一蚀刻停止层形成于缓冲层上，以及一金属栅格结构形成于第一蚀刻停止层上。影像传感设备结构亦包含：一介电层形成于金属栅格结构上。
摘要（英）：
An image sensor structure is provided. The image sensor device structure includes a substrate, and the substrate includes an array region and a peripheral region. The image sensor device structure includes an anti-reflection layer formed on the substrate and a buffer layer formed on the anti-reflection layer. The image sensor device structure includes a first etch stop layer formed on the buffer layer and a metal grid structure formed on the first etch stop layer. The image sensor device structure also includes a dielectric layer formed on the metal grid structure.
公开/授权文献:
- TWI641123B 影像感測裝置結構 公开/授权日：2018-11-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |