基本信息:
- 专利标题： 用於在半導體晶圓上形成柱狀凸塊的方法
- 专利标题（英）：Methods for forming pillar bumps on semiconductor wafers
- 专利标题（中）：用于在半导体晶圆上形成柱状凸块的方法
- 申请号：TW104123915 申请日：2015-07-23
- 公开(公告)号：TW201633414A 公开(公告)日：2016-09-16
- 发明人： 柏吉斯古伊F , BURGESS, GUY F. , 特西爾希歐多爾傑拉得 , TESSIER, THEODORE GERARD , 克帝斯安東尼保羅 , CURTIS, ANTHONY PAUL , 湯普森莉莉安查爾 , THOMPSON, LILLIAN CHARELL
- 申请人： 飛立帕奇帕國際股份有限公司 , FLIPCHIP INTERNATIONAL, LLC
- 专利权人： 飛立帕奇帕國際股份有限公司,FLIPCHIP INTERNATIONAL, LLC
- 当前专利权人： 飛立帕奇帕國際股份有限公司,FLIPCHIP INTERNATIONAL, LLC
- 代理人： 蔡坤財; 李世章
- 优先权： 14/644,473 20150311
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60
摘要：
本案所含之請求標的揭示用於在半導體晶圓上的凸塊下金屬墊上形成垂直金屬柱及在該金屬柱之頂表面上施用不連續焊帽的方法，其中該金屬柱是由至少一光阻層所界定而成。該方法包括加熱多元素金屬膏，該多元素金屬膏含有可變量的金屬粉末、熔點降低劑及助焊劑，以使金屬粉末燒結成金屬柱並同時使該金屬柱附著於該凸塊下金屬墊。
摘要（中）：
本案所含之请求标的揭示用于在半导体晶圆上的凸块下金属垫上形成垂直金属柱及在该金属柱之顶表面上施用不连续焊帽的方法，其中该金属柱是由至少一光阻层所界定而成。该方法包括加热多元素金属膏，该多元素金属膏含有可变量的金属粉末、熔点降低剂及助焊剂，以使金属粉末烧结成金属柱并同时使该金属柱附着于该凸块下金属垫。
摘要（英）：
The subject matter contained herein discloses methods for forming a vertical metallic pillar overlying an under bump metal pad further overlying a semiconductor substrate, and applying a discrete solder cap on a top surface of the pillar, wherein the metallic pillar is defined by at least one photoresist layer. The method includes heating a multi-element metallic paste containing a variable amount of metallic powder, a melting point depressant and a flux such that the metal powder sinters to form the metallic pillar and simultaneously adheres the metallic pillar to the under bump metal pad.
公开/授权文献:
- TWI669763B 用於在半導體晶圓上形成柱狀凸塊的方法 公开/授权日：2019-08-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |