基本信息:
- 专利标题： 具有磁異向性強化層及結晶障壁層的垂直磁穿隧接面（ＭＴＪ）堆疊（二）
- 专利标题（英）：Perpendicular MTJ stacks with magnetic anisotropy enhancing layer and crystallization barrier layer
- 专利标题（中）：具有磁异向性强化层及结晶障壁层的垂直磁穿隧接面（ＭＴＪ）堆栈（二）
- 申请号：TW104143565 申请日：2013-09-23
- 公开(公告)号：TW201629959A 公开(公告)日：2016-08-16
- 发明人： 歐古茲 克安 , OGUZ, KAAN , 道吉 馬克L , DOCZY, MARK L. , 多伊爾 布萊恩S , DOYLE, BRIAN , 夏哈 烏達 , SHAH, UDAY , 肯奇 大衛L , KENCKE, DAVID L. , 葛里札德 莫賈拉德 洛沙那 , GOLIZADEH MOJARAD, ROKSANA , 喬 羅伯特S , CHAU, ROBERT S.
- 申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
- 专利权人： 英特爾公司,INTEL CORPORATION
- 当前专利权人： 英特爾公司,INTEL CORPORATION
- 代理人： 惲軼群; 陳文郎
- 优先权： 13/627,968 20120926
- 主分类号： G11C11/16
- IPC分类号： G11C11/16
摘要：
適用於自旋轉移扭矩記憶體(STTM)裝置之磁穿隧接面(MTJ)包含垂直磁性層以及藉由一結晶障壁層而與一自由磁性層分離的一層或多層異向性強化層。於實施例中，一異向性強化層改進該自由磁性層之垂直方位，而該結晶障壁則藉由該自由磁性層的晶體線結構與一穿隧層的晶體線結構之較佳對齊而改進穿隧磁阻(TMR)比率。
摘要（中）：
适用于自旋转移扭矩内存(STTM)设备之磁穿隧接面(MTJ)包含垂直磁性层以及借由一结晶障壁层而与一自由磁性层分离的一层或多层异向性强化层。于实施例中，一异向性强化层改进该自由磁性层之垂直方位，而该结晶障壁则借由该自由磁性层的晶体线结构与一穿隧层的晶体线结构之较佳对齐而改进穿隧磁阻(TMR)比率。
摘要（英）：
Magnetic tunnel junctions (MTJ) suitable for spin transfer torque memory (STTM) devices, include perpendicular magnetic layers and one or more anisotropy enhancing layer(s) separated from a free magnetic layer by a crystallization barrier layer. In embodiments, an anisotropy enhancing layer improves perpendicular orientation of the free magnetic layer while the crystallization barrier improves tunnel magnetoresistance (TMR) ratio with better alignment of crystalline texture of the free magnetic layer with that of a tunneling layer.
公开/授权文献:
- TWI600008B 具有磁異向性強化層及結晶障壁層的垂直磁穿隧接面（ＭＴＪ）堆疊（二） 公开/授权日：2017-09-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/02 | .应用磁性元件的 |
| ----G11C11/16 | ..应用磁自旋效应的存储元件的 |