基本信息:
- 专利标题： ＦＩＮＦＥＴ結構及其製造方法
- 专利标题（英）：FINFET structure and method for manufacturing thereof
- 专利标题（中）：ＦＩＮＦＥＴ结构及其制造方法
- 申请号：TW104108922 申请日：2015-03-20
- 公开(公告)号：TW201628195A 公开(公告)日：2016-08-01
- 发明人： 蔡俊雄 , TSAI, CHUN HSIUNG , 庄麗雲 , CHONG, LAI WAN , 李健瑋 , LEE, CHIEN WEI , 陳科維 , CHEN, KEI WEI
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 馮博生
- 优先权： 14/600,781 20150120
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78
摘要：
本發明提供一種FinFET結構，其包括鰭片以及包圍該鰭片的第一部分的閘極。該鰭片的該第一部分的摻雜濃度約低於1E17/cm3。該FinFET結構還包括包圍該鰭片的第二部分的絕緣層。該鰭片的該第二部分的摻雜濃度高於約8E15/cm3。該絕緣層包括下層和上層，且該下層佈置在連接該鰭片的基板上且所具有的摻雜濃度約高於1E19/cm3。
摘要（中）：
本发明提供一种FinFET结构，其包括鳍片以及包围该鳍片的第一部分的闸极。该鳍片的该第一部分的掺杂浓度约低于1E17/cm3。该FinFET结构还包括包围该鳍片的第二部分的绝缘层。该鳍片的该第二部分的掺杂浓度高于约8E15/cm3。该绝缘层包括下层和上层，且该下层布置在连接该鳍片的基板上且所具有的掺杂浓度约高于1E19/cm3。
摘要（英）：
Present disclosure provides a FinFET structure, including a fin and a gate surrounding a first portion of the fin. A dopant concentration in the first portion of the fin is lower than about 1E17/cm3. The FinFET structure further includes an insulating layer surrounding a second portion of the fin. The dopant concentration of the second portion of the fin is greater than about 8E15/cm3. The insulating layer includes a lower layer and an upper layer, and the lower layer is disposed over a substrate connecting to the fin and has a dopant concentration greater than about 1E19/cm3.
公开/授权文献:
- TWI617031B ＦＩＮＦＥＴ結構及其製造方法 公开/授权日：2018-03-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |