基本信息:
- 专利标题： 垂直自旋轉移扭矩記憶體（ＰＳＴＴＭ）磁性穿隧接面（ＭＴＪ）結構中的磁擴散障壁及過濾器
- 专利标题（英）：Magnetic diffusion barriers and filter in PSTTM MTJ construction
- 专利标题（中）：垂直自旋转移扭矩内存（ＰＳＴＴＭ）磁性穿隧接面（ＭＴＪ）结构中的磁扩散障壁及过滤器
- 申请号：TW104127902 申请日：2015-08-26
- 公开(公告)号：TW201626379A 公开(公告)日：2016-07-16
- 发明人： 歐布萊恩 凱文 , O'BRIEN, KEVIN , 歐固茲 肯恩 , OGUZ, KAAN , 道爾 布萊恩 , DOYLE, BRIAN S. , 達克西 馬克 , DOCZY, MARK L. , 郭 查爾斯 , KUO, CHARLES C. , 喬 羅伯特 , CHAU, ROBERT S.
- 申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
- 专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 当前专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 代理人： 林志剛
- 优先权： PCT/US14/57872 20140926
- 主分类号： G11C11/02
- IPC分类号： G11C11/02
A material layer stack for a magnetic tunneling junction, the material layer stack including a fixed magnetic layer; a dielectric layer; a free magnetic layer; and an amorphous electrically-conductive seed layer, wherein the fixed magnetic layer is disposed between the dielectric layer and the seed layer. A non-volatile memory device including a material stack including an amorphous electrically-conductive seed layer; and a fixed magnetic layer juxtaposed and in contact with the seed layer. A method including forming an amorphous seed layer on a first electrode of a memory device; forming a material layer stack on the amorphous seed layer, the material stack including a dielectric layer disposed between a fixed magnetic layer and a free magnetic layer, wherein the fixed magnetic layer.
公开/授权文献:
- TWI664628B 垂直自旋轉移扭矩記憶體（ＰＳＴＴＭ）磁性穿隧接面（ＭＴＪ）結構中的磁擴散障壁及過濾器 公开/授权日：2019-07-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/02 | .应用磁性元件的 |