基本信息:
- 专利标题： ＵＶ固化超低Ｋ介電薄膜之模數及硬度強化
- 专利标题（英）：Enhancement of modulus and hardness for UV-cured ultra low-K dielectric films
- 专利标题（中）：ＵＶ固化超低Ｋ介电薄膜之模数及硬度强化
- 申请号：TW104123597 申请日：2015-07-21
- 公开(公告)号：TW201624530A 公开(公告)日：2016-07-01
- 发明人： 任姜燮 , YIM, KANG SUB , 查哈布拉瑪亨德拉 , CHHABRA, MAHENDRA , 陳勁文 , CHAN, KELVIN , 狄摩斯亞歷山卓T , DEMOS, ALEXANDROS T. , 達許普力楊卡 , DASH, PRIYANKA
- 申请人： 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 蔡坤財; 李世章
- 优先权： 62/026,843 20140721
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/768
摘要：
本文所述之實施例大體上關於以UV能量處理基板上之介電膜的方法。一個實施例中，前驅物膜沉積於基板上，且該前驅物膜包括複數個成孔原分子。該前驅物膜於第一溫度第一次暴露至UV能量，以起始交聯製程。第一預定時間後，前驅物膜的溫度增加到第二溫度達第二預定時間，以移除成孔原分子並且繼續交聯製程。所得的膜是多孔低k介電膜，該膜具有改善的彈性模數與硬度。
摘要（中）：
本文所述之实施例大体上关于以UV能量处理基板上之介电膜的方法。一个实施例中，前驱物膜沉积于基板上，且该前驱物膜包括复数个成孔原分子。该前驱物膜于第一温度第一次暴露至UV能量，以起始交联制程。第一预定时间后，前驱物膜的温度增加到第二温度达第二预定时间，以移除成孔原分子并且继续交联制程。所得的膜是多孔低k介电膜，该膜具有改善的弹性模数与硬度。
摘要（英）：
Embodiments described herein generally relate to methods for processing a dielectric film on a substrate with UV energy. In one embodiment, a precursor film is deposited on the substrate, and the precursor film includes a plurality of porogen molecules. The precursor film is first exposed to UV energy at a first temperature to initiate a cross-linking process. After a first predetermined time, the temperature of the precursor film is increased to a second temperature for a second predetermined time to remove porogen molecules and to continue the cross-linking process. The resulting film is a porous low-k dielectric film having improved elastic modulus and hardness.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |