基本信息:
- 专利标题: 球狀結晶性二氧化矽粒子及其製造方法
- 专利标题(英):Spherical crystalline silica particles and method for producing same
- 专利标题(中):球状结晶性二氧化硅粒子及其制造方法
- 申请号:TW104127722 申请日:2015-08-25
- 公开(公告)号:TW201620833A 公开(公告)日:2016-06-16
- 发明人: 佐藤裕 , SATO, YUTAKA , 矢木克昌 , YAGI, KATSUMASA , 田中睦人 , TANAKA, MUTSUHITO , 德田尙三 , TOKUDA, SHOZO , 阿江正德 , AE, MASANORI
- 申请人: 新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.
- 专利权人: 新日鐵住金高新材料股份有限公司,NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.
- 当前专利权人: 新日鐵住金高新材料股份有限公司,NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.
- 代理人: 惲軼群
- 优先权: 2014-170875 20140825
- 主分类号: C01B33/18
- IPC分类号: C01B33/18
摘要:
本發明提供一種球狀結晶性二氧化矽粒子及其製造方法,該球狀結晶性二氧化矽粒子具有比習知更高的生產性,且製造成本低、又具高熱膨脹係數、高導熱係數、高流動性、高分散性、高填充性、低磨耗性、高純度,並且可適用於半導體領域。 一種球狀結晶性二氧化矽粒子,特徵在於含400~5000ppm之鋁,且含80%以上之結晶相。
摘要(中):
本发明提供一种球状结晶性二氧化硅粒子及其制造方法,该球状结晶性二氧化硅粒子具有比习知更高的生产性,且制造成本低、又具高热膨胀系数、高导热系数、高流动性、高分散性、高填充性、低磨耗性、高纯度,并且可适用于半导体领域。 一种球状结晶性二氧化硅粒子,特征在于含400~5000ppm之铝,且含80%以上之结晶相。
摘要(英):
Provided are: spherical crystalline silica particles having higher productivity than in the prior art, lower production costs, a high thermal expansion coefficient, high thermal conductivity, high fluidity, high dispersibility, excellent filling properties, low abrasiveness, and high purity, the spherical crystalline silica particles being usable even in the field of semiconductors; and a method for producing the same. Spherical crystalline silica particles characterized by including 400-5,000 ppm of aluminum and including 80% or more crystalline phase.
公开/授权文献:
- TWI672267B 球狀結晶性二氧化矽粒子及其製造方法 公开/授权日:2019-09-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
C | 化学;冶金 |
--C01 | 无机化学 |
----C01B | 非金属元素;其化合物 |
------C01B33/00 | 硅;其化合物 |
--------C01B33/08 | .含卤素的化合物 |
----------C01B33/12 | ..硅石;其水合物,如勒皮硅酸 |
------------C01B33/18 | ...既非溶胶态又非凝胶态的细分散硅石的制备;其后处理 |