基本信息:
- 专利标题： 塗佈材料、圖案形成方法、及電子裝置的製造方法
- 专利标题（英）：Coating material, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device
- 专利标题（中）：涂布材料、图案形成方法、及电子设备的制造方法
- 申请号：TW104130511 申请日：2015-09-16
- 公开(公告)号：TW201612975A 公开(公告)日：2016-04-01
- 发明人： 梅田賢一 , UMEDA, KENICHI , 望月文彦 , MOCHIZUKI, FUMIHIKO
- 申请人： 富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
- 专利权人： 富士軟片股份有限公司,FUJIFILM CORPORATION
- 当前专利权人： 富士軟片股份有限公司,FUJIFILM CORPORATION
- 代理人： 葉璟宗; 鄭婷文; 詹富閔
- 优先权： 2014-197000 20140926
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; H01L21/288 ; H01L29/786
A coating material of the invention is configured to form a pattern having the highest point of droplet ejection in a region of within 20% from the center of the droplet ejection. The coating material includes a raw material, and two types of solvents A and B being good solvents having a solubility parameter (SP value) of 20.3 MPa
公开/授权文献:
- TWI664675B 塗佈材料、圖案形成方法、及電子裝置的製造方法 公开/授权日：2019-07-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/31 | .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择 |