基本信息:
- 专利标题： 用於多孔低介電常數薄膜密封之紫外線輔助矽烷化
- 专利标题（英）：UV assisted silylation for porous low-k film sealing
- 专利标题（中）：用于多孔低介电常数薄膜密封之紫外线辅助硅烷化
- 申请号：TW104123420 申请日：2015-07-20
- 公开(公告)号：TW201608052A 公开(公告)日：2016-03-01
- 发明人： 謝波 , XIE, BO , 狄摩斯亞歷山卓T , DEMOS, ALEXANDER T. , 尼古言福諾格提倫 , NGUYEN, VU NGOC TRAN , 陳勁文 , CHAN, KELVIN , 任河 , REN, HE , 任姜燮 , YIM, KANG SUB , 那克美荷B , NAIK, MEHUL B.
- 申请人： 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 蔡坤財; 李世章
- 优先权： 62/027,149 20140721
- 主分类号： C23C16/455
- IPC分类号： C23C16/455 ; C23C16/48 ; H01L23/28
摘要：
本案所述之實施例提供用於密封多孔低介電常數介電薄膜的方法。該方法包括藉由使用循環製程在多孔低介電常數介電薄膜上形成密封層。循環製程包括重複以下序列：在多孔低介電常數介電薄膜上沉積密封層且處理密封層直至密封層達到預定厚度。每一中間密封層之處理在每一中間密封層表面上產生更多反應性位點，從而改良所產生之密封層的品質。
摘要（中）：
本案所述之实施例提供用于密封多孔低介电常数介电薄膜的方法。该方法包括借由使用循环制程在多孔低介电常数介电薄膜上形成密封层。循环制程包括重复以下串行：在多孔低介电常数介电薄膜上沉积密封层且处理密封层直至密封层达到预定厚度。每一中间密封层之处理在每一中间密封层表面上产生更多反应性位点，从而改良所产生之密封层的品质。
摘要（英）：
Embodiments described herein provide a method for sealing a porous low-k dielectric film. The method includes forming a sealing layer on the porous low-k dielectric film using a cyclic process. The cyclic process includes repeating a sequence of depositing a sealing layer on the porous low-k dielectric film and treating the sealing layer until the sealing layer achieves a predetermined thickness. The treating of each intermediate sealing layer generates more reactive sites on the surface of each intermediate sealing layer, which improves the quality of the resulting sealing layer.