基本信息:
- 专利标题： 退火嵌段共聚物之方法及由其製造之物件
- 专利标题（英）：Methods for annealing block copolymers and articles manufactured therefrom
- 专利标题（中）：退火嵌段共聚物之方法及由其制造之对象
- 申请号：TW103144727 申请日：2014-12-22
- 公开(公告)号：TW201536841A 公开(公告)日：2015-10-01
- 发明人： 張詩瑋 , CHANG, SHIH WEI , 朴鐘根 , PARK, JONG KEUN , 崔夫納斯三世 彼得 , TREFONAS III, PETER , 凱門 約翰W , KRAMER, JOHN W. , 佛格 艾瑞B , VOGEL, ERIN B. , 赫斯塔德 菲利普D , HUSTAD, PHILLIP D.
- 申请人： 羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
- 专利权人： 羅門哈斯電子材料有限公司,ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC,陶氏全球科技責任有限公司,DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
- 当前专利权人： 羅門哈斯電子材料有限公司,ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC,陶氏全球科技責任有限公司,DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
- 代理人： 洪武雄; 陳昭誠
- 优先权： 61/922,204 20131231
- 主分类号： C08G77/442
- IPC分类号： C08G77/442 ; C08F212/06 ; C08F293/00 ; H01L21/3105
Disclosed herein is a block copolymer comprising a first block derived from a vinyl aromatic monomer; where the vinyl aromatic monomer has at least one alkyl substitution on an aromatic ring; a second block derived from a siloxane monomer; where a chi parameter that measures interactions between the first block and the second block is 0.03 to 0.18 at a temperature of 200 DEG C. Disclosed herein is a method comprising polymerizing a vinyl aromatic monomer to form a first block; and polymerizing a second block onto the first block to form a block copolymer; where the second block is derived by polymerizing a siloxane monomer; and where the block copolymer has a chi parameter of 0.03 to 0.18 at a temperature of 200 DEG C; where the chi parameter is a measure of interactions between the first block and the second block of the copolymer.
公开/授权文献:
- TWI575000B 退火嵌段共聚物之方法及由其製造之物件 公开/授权日：2017-03-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C08 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 |
| ----C08G | 用碳—碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物 |
| ------C08G77/00 | 在高分子主链中形成含硅键合，有或没有硫、氮、氧，或碳键合反应得到的高分子化合物 |
| --------C08G77/04 | .聚硅氧烷 |
| ----------C08G77/442 | ..含有乙烯基聚合物链区 |