基本信息:
- 专利标题： 多臨限電壓裝置及相關的技術和組態
- 专利标题（英）：Multi-threshold voltage devices and associated techniques and configurations
- 专利标题（中）：多临限电压设备及相关的技术和组态
- 申请号：TW103139211 申请日：2014-11-12
- 公开(公告)号：TW201532286A 公开(公告)日：2015-08-16
- 发明人： 史泰格渥德 約瑟夫 , STEIGERWALD, JOSEPH M. , 甘尼 塔何 , GHANI, TAHIR , 胡瑞珍 , HU, JENNY , 波斯特 伊恩 , POST, IAN R.
- 申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
- 专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 当前专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 14/108,265 20131216
- 主分类号： H01L29/788
- IPC分类号： H01L29/788 ; H01L21/28
摘要：
本發明之實施例描述多臨限電壓裝置及相關的技術和組態。於一實施例中，一種設備包括半導體基底、配置於該半導體基底上之通道體、與該通道體耦合而具有第一厚度之第一閘極電極及與該通道體耦合而具有第二厚度之第二閘極電極，其中該第一厚度係大於該第二厚度。其他實施例被描述及/或主張權利。
摘要（中）：
本发明之实施例描述多临限电压设备及相关的技术和组态。于一实施例中，一种设备包括半导体基底、配置于该半导体基底上之信道体、与该信道体耦合而具有第一厚度之第一闸极电极及与该信道体耦合而具有第二厚度之第二闸极电极，其中该第一厚度系大于该第二厚度。其他实施例被描述及/或主张权利。
摘要（英）：
Embodiments of the present disclosure describe multi-threshold voltage devices and associated techniques and configurations. In one embodiment, an apparatus includes a semiconductor substrate, a channel body disposed on the semiconductor substrate, a first gate electrode having a first thickness coupled with the channel body and a second gate electrode having a second thickness coupled with the channel body, wherein the first thickness is greater than the second thickness. Other embodiments may be described and/or claimed.
公开/授权文献:
- TWI550881B 用於積體電路之元件和方法、以及計算裝置 公开/授权日：2016-09-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/788 | ......带有浮栅的 |