基本信息:
- 专利标题： 介電膜的沉積
- 专利标题（英）：Deposition of dielectric films
- 专利标题（中）：介电膜的沉积
- 申请号：TW103142873 申请日：2014-12-09
- 公开(公告)号：TW201525183A 公开(公告)日：2015-07-01
- 发明人： 陳一宏 , CHEN, YIHONG , 穆克吉蕭納克 , MUKHERJEE, SHAUNAK , 恰特吉阿密特 , CHATTERJEE, AMIT , 曼納帕拉米特 , MANNA, PRAMIT , 馬里克愛柏亥吉巴蘇 , MALLICK, ABHIJIT BASU , 劉寧利 , LIU, NINGLI , 周建華 , ZHOU, JIANHUA , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 史瑞尼凡生慕庫德 , SRINIVASAN, MUKUND
- 申请人： 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 蔡坤財; 李世章
- 优先权： 61/916,503 20131216;61/930,737 20140123;14/270,216 20140505
- 主分类号： C23C16/455
- IPC分类号： C23C16/455 ; H01L21/31
摘要：
將一或多種前驅物氣體引入處理腔室且暴露至自由基，該一或多種前驅物氣體諸如一或多種含矽氣體，可以是一或多種有機矽及/或正矽酸四烷基酯氣體。使用本文揭露之技術沉積的介電膜可含有矽。沉積的膜可顯現極少缺陷、低縐縮、與高蝕刻選擇性、機械穩定性、與熱穩定性。一些實施例中，沉積的膜可無氫。沉積狀態可為非常溫和，所以來自UV輻射與離子轟擊的對基板與剛沉積的膜的損壞極微小或不存在。
摘要（中）：
将一或多种前驱物气体引入处理腔室且暴露至自由基，该一或多种前驱物气体诸如一或多种含硅气体，可以是一或多种有机硅及/或正硅酸四烷基酯气体。使用本文揭露之技术沉积的介电膜可含有硅。沉积的膜可显现极少缺陷、低绉缩、与高蚀刻选择性、机械稳定性、与热稳定性。一些实施例中，沉积的膜可无氢。沉积状态可为非常温和，所以来自UV辐射与离子轰击的对基板与刚沉积的膜的损坏极微小或不存在。
摘要（英）：
One or more precursor gases, such as one or more silicon-containing gases, which may be one or more organosilicon and/or tetraalkyl orthosilicate gases, are introduced into a processing chamber and exposed to radicals. Dielectric films deposited using the techniques disclosed herein may contain silicon. The deposited films may exhibit few defects, low shrinkage, and high etch selectivity, mechanical stability, and thermal stability. In some embodiments, the deposited film can be hydrogen free. The deposition conditions can be very mild, so damage to the substrate and the as-deposited films from UV radiation and ion bombardment is minimal or nonexistent.