基本信息:
- 专利标题： 蝕刻方法、蝕刻裝置及記憶媒體
- 专利标题（英）：Etching method, etching device and memory medium
- 专利标题（中）：蚀刻方法、蚀刻设备及记忆媒体
- 申请号：TW103131240 申请日：2014-09-10
- 公开(公告)号：TW201521106A 公开(公告)日：2015-06-01
- 发明人： 古川孝弘 , FURUKAWA, TAKAHIRO , 二俣雄亮 , FUTAMATA, YUSUKE , 佐藤秀明 , SATO, HIDEAKI , 原大海 , HARA, HIROMI , 河津貴裕 , KAWAZU, TAKAHIRO , 鹽川俊行 , SHIOKAWA, TOSHIYUKI , 佐藤尊三 , SATOH, TAKAMI
- 申请人： 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
- 专利权人： 東京威力科創股份有限公司,TOKYO ELECTRON LIMITED
- 当前专利权人： 東京威力科創股份有限公司,TOKYO ELECTRON LIMITED
- 代理人： 周良謀; 周良吉
- 优先权： 2013-202325 20130927
- 主分类号： H01L21/306
- IPC分类号： H01L21/306
This invention aims to maintain the concentration of elution components, eluted from a wafer, in an etching liquid within a predetermined certain range so as to conduct an etching process on the wafer with high accuracy without replacing all the etching liquid. The etching method comprises a plurality of etching steps and interval steps between respective etching steps. Each etching step comprises a first partial replacement pattern wherein etching liquid supplied for etching process is discharged by a first preset amount and a new etching liquid is supplied by a second preset amount. And, the interval step comprises a second partial replacement pattern wherein etching liquid supplied for etching process is discharged by a third preset amount and a new etching liquid is supplied by a fourth preset amount.
公开/授权文献:
- TWI618136B 蝕刻方法、蝕刻裝置及記憶媒體 公开/授权日：2018-03-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |