基本信息:
- 专利标题： 半導性石墨烯結構、用於形成此結構之方法及包含此結構之半導體裝置
- 专利标题（英）：Semiconducting graphene structures, methods of forming such structures and semiconductor devices including such structures
- 专利标题（中）：半导性石墨烯结构、用于形成此结构之方法及包含此结构之半导体设备
- 申请号：TW103125747 申请日：2014-07-28
- 公开(公告)号：TW201513363A 公开(公告)日：2015-04-01
- 发明人： 米迪 羅伊E , MEADE, ROY E. , 潘迪 蘇密特C , PANDEY, SUMEET C.
- 申请人： 美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
- 专利权人： 美光科技公司,MICRON TECHNOLOGY, INC.
- 当前专利权人： 美光科技公司,MICRON TECHNOLOGY, INC.
- 代理人： 陳長文
- 优先权： 13/954,017 20130730
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/02
摘要：
本發明揭示一種半導性石墨烯結構，其可包含石墨烯材料及位於該石墨烯材料之至少一部分上方之石墨烯晶格匹配材料，其中該石墨烯晶格匹配材料具有在該石墨烯材料之晶格常數或鍵長之倍數的約±5%內之晶格常數。該半導性石墨烯結構可具有至少約0.5eV之能帶隙。本發明亦揭示一種改質石墨烯材料之能帶隙之方法，其可包含在石墨烯材料之至少一部分上方形成石墨烯晶格匹配材料，該石墨烯晶格匹配材料具有在該石墨烯材料之晶格常數或鍵長之倍數的約±5%內之晶格常數。
摘要（中）：
本发明揭示一种半导性石墨烯结构，其可包含石墨烯材料及位于该石墨烯材料之至少一部分上方之石墨烯晶格匹配材料，其中该石墨烯晶格匹配材料具有在该石墨烯材料之晶格常数或键长之倍数的约±5%内之晶格常数。该半导性石墨烯结构可具有至少约0.5eV之能带隙。本发明亦揭示一种改质石墨烯材料之能带隙之方法，其可包含在石墨烯材料之至少一部分上方形成石墨烯晶格匹配材料，该石墨烯晶格匹配材料具有在该石墨烯材料之晶格常数或键长之倍数的约±5%内之晶格常数。
摘要（英）：
A semiconducting graphene structure may include a graphene material and a graphene-lattice matching material over at least a portion of the graphene material, wherein the graphene-lattice matching material has a lattice constant within about ± 5% of a multiple of the lattice constant or bond length of the graphene material. The semiconducting graphene structure may have an energy band gap of at least about 0.5 eV. A method of modifying an energy band gap of a graphene material may include forming a graphene-lattice matching material over at least a portion of a graphene material, the graphene-lattice matching material having a lattice constant within about ± 5% of a multiple of the lattice constant or bond length of the graphene material.
公开/授权文献:
- TWI488310B 半導性石墨烯結構、用於形成此結構之方法及包含此結構之半導體裝置 公开/授权日：2015-06-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |