基本信息:
- 专利标题： 具有非嵌入式場絕緣體及場絕緣體上之較薄電極的三閘電晶體結構
- 专利标题（英）：Trigate transistor structure with unrecessed field insulator and thinner electrodes over the field insulator
- 专利标题（中）：具有非嵌入式场绝缘体及场绝缘体上之较薄电极的三闸晶体管结构
- 申请号：TW103119201 申请日：2014-06-03
- 公开(公告)号：TW201513306A 公开(公告)日：2015-04-01
- 发明人： 哈頓朵夫 麥可 , HATTENDORF, MICHAEL , 珮西 派格炎斯 , PATHI, PRAGYANSRI , 哈波 麥可 , HARPER, MICHAEL K.
- 申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
- 专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 当前专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 代理人： 林志剛
- 优先权： PCT/US13/47871 20130626
- 主分类号： H01L27/11
- IPC分类号： H01L27/11 ; H01L29/78
摘要：
有關具有MOSFETs之積體電路、併入此積體電路之系統、及用於形成它們的方法被討論，該MOSFETs在ICs的場絕緣體之上具有非嵌入式場絕緣體及較薄的電極。
摘要（中）：
有关具有MOSFETs之集成电路、并入此集成电路之系统、及用于形成它们的方法被讨论，该MOSFETs在ICs的场绝缘体之上具有非嵌入式场绝缘体及较薄的电极。
摘要（英）：
Techniques related to integrated circuits having MOSFETs with an unrecessed field insulator and thinner electrodes over the field insulator of ICs, systems incorporating such integrated circuits, and methods for forming them are discussed.
公开/授权文献:
- TWI517364B 具有非嵌入式場絕緣體及場絕緣體上之較薄電極的三閘電晶體結構 公开/授权日：2016-01-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/11 | .....静态随机存取存储结构的 |