基本信息:
- 专利标题： 毫秒退火（ＤＳＡ）之邊緣保護
- 专利标题（英）：Millisecond annealing (DSA) edge protection
- 专利标题（中）：毫秒退火（ＤＳＡ）之边缘保护
- 申请号：TW103137232 申请日：2009-02-13
- 公开(公告)号：TW201507050A 公开(公告)日：2015-02-16
- 发明人： 柯莫布萊克 , KOELMEL, BLAKE , 敏特希羅伯特C , MCINTOSH, ROBERT C. , 拉瑪格那克大衛DL , LARMAGNAC, DAVID DL , 雷奈亞歷山大N , LERNER, ALEXANDER N. , 梅爾艾伯希拉許J , MAYUR, ABHILASH J. , 尤都史凱約瑟夫 , YUDOVSKY, JOSEPH
- 申请人： 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 蔡坤財; 李世章
- 优先权： 12/032,475 20080215
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; H01L21/324
摘要：
本發明提供一種對一基板進行熱處理之方法與設備。基板係設置在一處理腔室中，而處理腔室係配置以藉由將電磁能導引朝向基板的表面而進行熱處理。提供有一能量阻擋器以阻擋導引朝向基板之能量的至少一部分。阻擋器預防了當入射能量接近基板邊緣時所產生的熱應力對基板的傷害。
摘要（中）：
本发明提供一种对一基板进行热处理之方法与设备。基板系设置在一处理腔室中，而处理腔室系配置以借由将电磁能导引朝向基板的表面而进行热处理。提供有一能量阻挡器以阻挡导引朝向基板之能量的至少一部分。阻挡器预防了当入射能量接近基板边缘时所产生的热应力对基板的伤害。
摘要（英）：
A method and apparatus for thermally processing a substrate is provided. A substrate is disposed within a processing chamber configured for thermal processing by directing electromagnetic energy toward a surface of the substrate. An energy blocker is provided to block at least a portion of the energy directed toward the substrate. The blocker prevents damage to the substrate from thermal stresses as the incident energy approaches an edge of the substrate.
公开/授权文献:
- TWI545676B 毫秒退火（ＤＳＡ）之邊緣保護 公开/授权日：2016-08-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |