基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置及製造其之方法、電源供應裝置及高頻放大器
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method for producing the same, power supply device, and high-frequency amplifier
- 专利标题（中）：半导体设备及制造其之方法、电源供应设备及高频放大器
- 申请号：TW103103918 申请日：2014-02-06
- 公开(公告)号：TW201440222A 公开(公告)日：2014-10-16
- 发明人： 尾崎史朗 , OZAKI, SHIROU , 岡本直哉 , OKAMOTO, NAOYA
- 申请人： 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
- 专利权人： 富士通股份有限公司,FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人： 富士通股份有限公司,FUJITSU LIMITED
- 代理人： 惲軼群; 陳文郎
- 优先权： 2013-054928 20130318
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/28
摘要：
一種半導體裝置包括：一氮化物半導體多層；一設置在該氮化物半導體多層上的絕緣薄膜；及一設置在該絕緣薄膜上的閘極電極，其中，該氮化物半導體多層具有一第一氧化區域在一與絕緣薄膜之一在閘極電極下方之區域的界面附近，該第一氧化區域具有一個比一在一與絕緣薄膜之一除了在閘極電極下方之外之區域之界面附近之區域之氧氣濃度高的氧氣濃度。
摘要（中）：
一种半导体设备包括：一氮化物半导体多层；一设置在该氮化物半导体多层上的绝缘薄膜；及一设置在该绝缘薄膜上的闸极电极，其中，该氮化物半导体多层具有一第一氧化区域在一与绝缘薄膜之一在闸极电极下方之区域的界面附近，该第一氧化区域具有一个比一在一与绝缘薄膜之一除了在闸极电极下方之外之区域之界面附近之区域之氧气浓度高的氧气浓度。
摘要（英）：
A semiconductor device includes: a nitride semiconductor multilayer; an insulating film disposed on the nitride semiconductor multilayer; and a gate electrode disposed on the insulating film, wherein the nitride semiconductor multilayer has a first oxidized region near an interface with a region of the insulating film below the gate electrode, the first oxidized region having an oxygen concentration higher than an oxygen concentration of a region near an interface with a region of the insulating film other than below the gate electrode.
公开/授权文献:
- TWI582994B 半導體裝置及製造其之方法、電源供應裝置及高頻放大器 公开/授权日：2017-05-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |