基本信息:
- 专利标题： 形成含氮氧化物層及含氮高介電常數層的方法、以及包含其之半導體裝置
- 专利标题（英）：Method for forming a nitrogen-containing oxide film and a nitrogen-containing high dielectric constant film, and a semiconductor device employing the same
- 专利标题（中）：形成含氮氧化物层及含氮高介电常数层的方法、以及包含其之半导体设备
- 申请号：TW102149207 申请日：2013-12-31
- 公开(公告)号：TW201436040A 公开(公告)日：2014-09-16
- 发明人： 杜安群 , TU, AN CHUN , 黃至鴻 , HWANG, CHIH HONG , 呂宜憲 , LU, YI HSIEN , 陳俊衡 , CHEN, CHUN HENG , 李震謙 , LI, CHEN CHIEN , 吳志仁 , WU, CHIH JEN , 張廖貴術 , CHANG LIAO, KUEI SHU , 黃振銘 , HUANG, CHEN MING
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 洪澄文; 顏錦順
- 优先权： 13/782,382 20130301
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31
摘要：
本發明提供一種形成含氮氧化物層的方法，包含：(a)將一基材暴露於一第一氣體脈衝，其中該第一氣體脈衝具有一含氧之氣體以及一含金屬之氣體其中之一者；(b)將該基材暴露於一第二氣體脈衝以形一氧化層於該基材之上，其中該第二氣體脈衝具有該含氧之氣體以及該含金屬之氣體其中另一者；以及，(c)將該氧化層暴露於一第三氣體脈衝，其中該第三氣體脈衝具有一含氮之電漿以形成一含氮之氧化物層，其中該含氮之氧化物層具有一氮原子濃度介於約0.1-3原子百分比(atom%)。
摘要（中）：
本发明提供一种形成含氮氧化物层的方法，包含：(a)将一基材暴露于一第一气体脉冲，其中该第一气体脉冲具有一含氧之气体以及一含金属之气体其中之一者；(b)将该基材暴露于一第二气体脉冲以形一氧化层于该基材之上，其中该第二气体脉冲具有该含氧之气体以及该含金属之气体其中另一者；以及，(c)将该氧化层暴露于一第三气体脉冲，其中该第三气体脉冲具有一含氮之等离子以形成一含氮之氧化物层，其中该含氮之氧化物层具有一氮原子浓度介于约0.1-3原子百分比(atom%)。
摘要（英）：
A method of forming a nitrogen-containing oxide film is disclosed. The method includes(a)exposing a substrate to a first gas pulse having one of an oxygen-containing gas and a metal-containing gas; (b)exposing the substrate to a second gas pulse having the other of the oxygen-containing gas and the metal-containing gas to form an oxide film over the substrate; and(c)exposing the oxide film to a third gas pulse having a nitrogen-containing plasma to form a nitrogen-containing oxide film, wherein the nitrogen-containing oxide film has a nitrogen concentration between about 0.1 and about 3 atomic percent(at%).
公开/授权文献:
- TWI540642B 形成含氮氧化物層及含氮高介電常數層的方法 公开/授权日：2016-07-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/31 | .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择 |