基本信息:
- 专利标题： 使用矽奈米粒子之太陽能電池射極區製造
- 专利标题（英）：Solar cell emitter region fabrication using silicon nano-particles
- 专利标题（中）：使用硅奈米粒子之太阳能电池射极区制造
- 申请号：TW102121632 申请日：2013-06-18
- 公开(公告)号：TW201427037A 公开(公告)日：2014-07-01
- 发明人： 路克斯特夫 保羅 , LOSCUTOFF, PAUL , 史密斯 大衛D , SMITH, DAVID D. , 摩斯 麥可 , MORSE, MICHAEL , 沃德華爾 安 , WALDHAUER, ANN , 金泰錫 , KIM, TAESEOK , 莫爾薩 史蒂芬艾德沃 , MOLESA, STEVEN EDWARD
- 申请人： 太陽電子公司 , SUNPOWER CORPORATION
- 专利权人： 太陽電子公司,SUNPOWER CORPORATION
- 当前专利权人： 太陽電子公司,SUNPOWER CORPORATION
- 代理人： 楊長峯; 李國光; 張仲謙
- 优先权： 13/720, 060 20121219
- 主分类号： H01L31/0224
- IPC分类号： H01L31/0224 ; H01L31/042
摘要：
所述者為使用矽奈米粒子製造太陽能電池射極區之方法與所得之太陽能電池。在實例中，製造太陽能電池之射極區的方法包括設置於太陽能電池之基板的表面上方之介電層上方形成摻雜矽奈米粒子區。矽層係形成於摻雜矽奈米粒子區上。矽層的至少一部分係與摻雜矽奈米粒子區的至少一部分混合以形成設置於介電層上之摻雜多晶矽層。
摘要（中）：
所述者为使用硅奈米粒子制造太阳能电池射极区之方法与所得之太阳能电池。在实例中，制造太阳能电池之射极区的方法包括设置于太阳能电池之基板的表面上方之介电层上方形成掺杂硅奈米粒子区。硅层系形成于掺杂硅奈米粒子区上。硅层的至少一部分系与掺杂硅奈米粒子区的至少一部分混合以形成设置于介电层上之掺杂多晶硅层。
摘要（英）：
Methods of fabricating solar cell emitter regions using silicon nano-particles and the resulting solar cells are described. In an example, a method of fabricating an emitter region of a solar cell includes forming a region of doped silicon nano-particles above a dielectric layer disposed above a surface of a substrate of the solar cell. A layer of silicon is formed on the region of doped silicon nano-particles. At least a portion of the layer of silicon is mixed with at least a portion of the region of doped silicon nano-particles to form a doped polycrystalline silicon layer disposed on the dielectric layer.
公开/授权文献:
- TWI591837B 使用矽奈米粒子之太陽能電池射極區製造 公开/授权日：2017-07-11